快捷半導體(Fairchild Semiconductor)於日前推出兩款新型雙N通道和兩款新型雙P通道20V MOSFET BGA封裝元件，其具備的物理和電氣性能特性非常適合鋰離子電池組保護應用。這四款元件(FDZ2551N、FDZ2553N、FDZ2552P和FDZ2554P)均採用具有共汲極連接的4x2.5mm表面安裝MOSFET BGA封裝。BGA封裝的特點包括封裝尺寸小(10mm2)、極薄(最大安裝高度為0.8mm)、良好的RDS(on)值和出色的熱性能。而且，這種封裝能夠通過頂部散熱，進一步提升元件性能。除將鋰離子電池組保護電路的尺寸和性能最佳化外，雙N和雙P通道MOSFET BGA封裝元件能夠有效地滿足其他空間敏感和性能導向負載管理產品的要求，這些產品適用於電腦/EDP、通訊、攜帶型設備、工業設備和無線通訊設備，如蜂巢式電話手機、PDA、網路圖形輸入卡、MP3播放機，以及可攜式POS終端。

快捷表示，這些4x2.5mm BGA封裝元件具有優於傳統引線型封裝的特性，其高度比TSOP-6封裝低約21%，MOSFET BGA的RDS(on)值(28milliohms對比135milliohms)比最具競爭力的雙20V TSOP-6 P通道MOSFET低79%，它們還具有比目前市場上雙20V、TSOP-6 N通道MOSFET低80%的RDS(on)值(14 milliohms對比69 milliohms)。除絕對RDS(on)值更低之外，雙MOSFET BGA還具有小於任何其他TSOP-6封裝或微小引線框架封裝，如PowerPAKTM 1212-8的FFOM(封裝性能因數，FFOM的定義為RDS(on)x封裝面積)。

快捷半導體分離式功率業務發展和傳訊總監Steve Ahrens表示，「該系列雙MOSFET BGA封裝元件具有共汲極連接，特別易於在電池組保護電路中使用。無需附加外部封裝連接，BGA封裝可節省空間，省掉額外的安裝費用。」