快捷半导体(Fairchild Semiconductor)于日前推出两款新型双N信道和两款新型双P信道20V MOSFET BGA封装组件，其具备的物理和电气性能特性非常适合锂离子电池组保护应用。这四款组件(FDZ2551N、FDZ2553N、FDZ2552P和FDZ2554P)均采用具有共汲极连接的4x2.5mm表面安装MOSFET BGA封装。BGA封装的特点包括封装尺寸小(10mm2)、极薄(最大安装高度为0.8mm)、良好的RDS(on)值和出色的热性能。而且，这种封装能够通过顶部散热，进一步提升组件性能。除将锂离子电池组保护电路的尺寸和性能优化外，双N和双P信道MOSFET BGA封装组件能够有效地满足其他空间敏感和性能导向负载管理产品的要求，这些产品适用于计算机/EDP、通讯、携带型设备、工业设备和无线通信设备，如蜂巢式电话手机、PDA、网络图形输入卡、MP3播放器，以及可携式POS终端。

快捷表示，这些4x2.5mm BGA封装组件具有优于传统引线型封装的特性，其高度比TSOP-6封装低约21%，MOSFET BGA的RDS(on)值(28milliohms对比135milliohms)比最具竞争力的双20V TSOP-6 P信道MOSFET低79%，它们还具有比目前市场上双20V、TSOP-6 N信道MOSFET低80%的RDS(on)值(14 milliohms对比69 milliohms)。除绝对RDS(on)值更低之外，双MOSFET BGA还具有小于任何其他TSOP-6封装或微小引线框架封装，如PowerPAKTM 1212-8的FFOM(封装性能因子，FFOM的定义为RDS(on)x封装面积)。

快捷半导体分离式功率业务发展和传讯总监Steve Ahrens表示，「该系列双MOSFET BGA封装组件具有共汲极连接，特别易于在电池组保护电路中使用。无需附加外部封装连接，BGA封装可节省空间，省掉额外的安装费用。」