高温半导体方案供货商CISSOID近日发布，新款快速高温功率晶体驱动器参考设计PROMETHEUS-II。其适用于-55℃至+225℃的操作。PROMETHEUS-II的解决方案是用来驱动碳化硅（SiC）、氮化镓和其他功率组件，如需用于高达225℃可靠和持续运行的MOSFET,IGBT,JFET及BJT。

PROMETHEUS-II为Cissoid TITAN功率驱动器成员之一，立基于最近推出的高温半桥式驱动CHT-HYPERION参考设计。所有组件材料都是Cissoid的高温可靠的产品，这确保在极端的温度下可靠地运行。

相对于早期版本，PROMETHEUS-II可带来更大的反向/源电流能力，更短的延迟和更快的上升和下降时间。在25℃的开关模式中CHT-NMOS4005能够吸收高达6A。对于需要更高的电流容量，可以使用CHT-NMOS4010（为12A @25℃）或CHT-NMOS4020（为22A@25℃）。

PROMETHEUS-II是用于高电压、高功率直流/交流电机驱动器、开关电源（SMPS）以及任何其他在高温环境中的功率转换应用，另，也可用于系统设计师要除去昂贵的冷却系统时使用。其目标市场是航空（电传线）、火车、汽车（电动和混合动力汽车）、工业和石油与天然气。

CISSOID表示，PROMETHEUS-II的应用手册将会在要求下提供。该内容包括建造功率晶体管驱动器的详细指示、参考设计、材料和原理图以及每块材料的实施程序。根据特定客户的需求，PROMETHEUS-II可以选择用已封装好的组件与高温印刷电路板一并封装，或用一个多芯片模块封装。