CMOS图像传感器技术提高用于移动和消费应用的未来安森美半导体传感器的功率、性能和尺寸效益

推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor）成功鉴定性能并展示首款功能全面的堆叠式CMOS图像感测器。相比传统的单片非堆叠式设计，这感测器的晶片覆盖区更少、像素表现更高且功耗更佳。此技术已成功实现及性能被鉴定于1.1微米（um）像素的测试晶片，并将于今年稍后以产品形式推出。

传统采用单片基板工艺的传感器设计需要单独的芯片区以支持像素数组和辅助电路。有了3D堆栈技术，像素数组和辅助电路可放在不同基板上分开制作，然后通过硅穿孔技术（TSV）堆栈连接。这样，像素数组就能覆盖基本电路，实现更有效率的芯片分布。这种方法让设计工程师能够优化传感器的各个部分，如成像性能、成本、功率和芯片尺寸。像素数组的优化能提高传感器的像素性能，降低噪声位准并增强像素反应，下层电路也可以使用更严格的设计规则来降低功耗。缩小的覆盖区更能支持现今先进的相机模块，这些模块于同一个覆盖区整合了光学图像稳定（OIS）和附加数据存储功能。

安森美半导体图像传感器部技术副总裁Sandor Bama表示：「3D堆栈技术是令人兴奋的突破，它提高了我们优化未来安森美半导体传感器的能力。此技术带来制造和设计的灵活性，确保我们能在整个传感器系列维持性能的地位。」

安森美半导体将于美国时间1月6日到8日在拉斯韦加斯举行的2015国际消费电子展期间展示其最新的图像传感器技术及产品。（编辑部陈复霞整理）