美商超微半导体(AMD)日前表示，该公司的研发人员已开发一种高效能的电晶体，其效能比目前的高效能P通道金属氧化半导体(PMOS)高30%，AMD计划在今年6月全面公布这项研究的实验结果。这种电晶体采用AMD专有的技术，其中包括一般称为完全空乏区的绝缘层上矽晶。在另一相关的研究中，AMD的研发人员利用金属闸门开发一种受压矽片电晶体，其效能比传统的受压矽片电晶体高20至25%。

AMD制程技术开发副总裁Craig Sander表示，『AMD一直致力开发低​​漏电、低电压的高效能电晶体，为我们的设计工程师提供一切必要的元件，让他们可以设计切合客户需要的解决方案。 』

AMD运算产品部副总裁暨技术事务长Fred Weber表示，『要有合适的工具及材料才会有好的设计，AMD一直致力研发这类技术，也已开发各种功能及匠心独具的架构设计，满足客户的需求。 』

预计在未来5至10年内，这方面的最新研发成果将会在整个半导体生产流程之中扮演一个极为重要的角色。 AMD 将出席今年6月11至12日在日本京都举行的大型积体电路研讨会(VLSI Symosium)，并计划在会中首次公开发表这两项研究的结果。