账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
飞利浦推出μTrenchMOS MOSFET系列
 

【CTIMES/SmartAuto 楊青蓉报导】   2002年11月21日 星期四

浏览人次:【1182】

皇家飞利浦电子集团近日推出​​全新N通道金属氧化物场效应电晶体产品系列,该产品采用μTrenchMOS技术和薄小外形TSOP6封装,尺寸仅9.3平方毫米。新型μTrenchMOS的TSOP6封装具有极低的传导电阻Rds(on),订定的电压分别为30V,20V和12V。 MOSFET的Rds(on)值越低,产品的功率耗损就越低,因此电池寿命也会延长。 TSOP6可以提供良好的热、电性能,除了能降低运行温度外,还可以将功率耗损降低至1.4W。

μTrenchMOS TSOP6将推动目前在亚洲地区量产的可携式产品之发展,这些具强大功能又轻巧的产品包括PDA、笔记型电脑以及电动刮须刀以及电动牙刷等家用电器。

飞利浦半导体国际电源产品行销经理Ian Moulding表示,「由于电话、笔记型电脑和PDA等高性能行动设备加入越来越多的功能和更强大的处理能力,关键元件的空间变得越来越小。因此,设计人员需要寻求体积更小、功耗更低和符合性能标准的积体电路解决方案。我们新推出的μTrenchMOS产品系列结合了飞利浦成熟的μTrenchMOS技术和小封装的专长,为设计人员提供一种能满足其功率设计要求的简单解决方案。」

關鍵字: Ian Moulding  一般逻辑组件 
  相关新闻
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
» SEMI提4大方针增台湾再生能源竞争力 加强半导体永续硬实力
» 国科会促产创共造算力 主权AI产业专区落地沙仑
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BQ5KEQ82STACUKV
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw