快捷半导体公司（Fairchild Semiconductor）针对可携式应用的设计人员推出一款20V、体积为2mm x 2mm x 0.55mm的薄型MicroFET MOSFET组件，它具有业界最低的RDS(ON)。FDMA6023PZT是一款采用紧凑、薄型封装的双P信道MOSFET，能够满足可携式设计的严苛要求，采用延长电池寿命的技术，实现更薄、更小的应用。

薄型MicroFET MOSFET组件

FDMA6023PZT采用超薄的导线架暴露（(lead-frame exposed）之MicroFET封装，与传统的MOSFET相比，它具有出色的热阻，能提供卓越的功率耗散，并可减少传导损耗。该组件采用快捷半导体PowerTrench MOSFET制程技术，可获得极低的RDS(ON)值、总体栅级电荷（QG）和米勒电荷（QGD）—这些都是可以产生出色传导和开关性能之强项。

快捷表示，FDMA6023PZT是该公司完整的MicroFET MOSFET产品系列的一员，在因应当今功能丰富之可携式应用的功率设计挑战方面，具有关键性的作用，该产品系列包括20V P信道PowerTrench MOSFET组件FDMA1027PT，以及带有肖特基二极管的20V P信道PowerTrench MOSFET组件FDFMA2P853T。与常用于低压设计的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET组件相比，这些产品的体积缩小了55% ，而高度则降低达50%。