快捷半导体(Fairchild Semiconductor)推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V)N沟道MOSFET，这两款产品经过特别设计，可为电浆显示器(plasma display panel，PDP)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。与市场上同类型器件比较，这些采用快捷半导体专利PowerTrench制程技术的MOSFET，可提供最低的导通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值为22.9毫奥姆；FDB2710的典型值为36.3毫奥姆)。超低的RDS(on)加上极低的栅极电荷(Qg)，使得该器件具有同级产品中最佳的特性值(Figure of Merit，FOM)，因而可以在PDP系统中获得更低的传导损耗和出色的开关性能。

Fairchild 200V/250V POWERTRENCH MOSFET BigPic:320x240

该器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200V 或250V的击穿电压，让它可以封装在占位面积更小的D2PAK封装中。PowerTrench MOSFET的另一项优势是能够承受高速电压(dv/dt)和电流(di/dt)开关的瞬态响应，有助于提高系统的可靠性。

快捷半导体功能性功率产品部副总裁Taehoon Kim表示，「快捷半导体的FDB2614和FDB2710 MOSFET具有领先的FOM及采用紧凑的D2PAK封装，非常适用于PDP应用中的路径开关。这些器件经过量身订做，可为纤巧的PDP电路板设计提供高电流处理能力和节省占位空间的封装。快捷半导体这项产品的推出再次彰显了其决心和能力，可以为客户解决最紧迫的应用问题。」