美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯达克代号：MSCC) 宣布其新一代1200V非贯穿型(non-punch through，NPT)系列的三款IGBT新产品：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。该产品系列的所有组件均采用美高森美的先进Power MOS 8技术，整体开关和导通损耗比竞争解决方案显著降低20%或以上。这些IGBT组件专为如焊接机、太阳能逆变器和不断电与开关电源等高功率的高性能开关模式产品而设计。

美高森美的1200V解决方案可与其FRED或碳化硅萧特基(Schottky)二极管组合封装，为工程师提供高整合度解决方案，以便简化产品开发工作。其它特性包括：

‧闸极电荷(Qg) 比竞争产品显著减少，提供更快的开关性能；

‧硬件开关运作频率高于80 KHz，达到更高效率的功率转换；

‧易于并联 (Vcesat之正温度系数)，可提升高功率应用的可靠性；以及

‧额定短路耐受时间(Short Circuit Withstand Time，SCWT)，为需要短路能力的应用提供可靠运作

此外，美高森美将于短期内提供采用SOT-227封装的APT85GR120JD60组件，包含了一个采用美高森美的专有采用美高森美的专有「DQ」系列低开关损耗、额定雪崩能量二极管技术制造的60A反向平行 (anti-parallel) 超快速恢复二极管。