Ultrabook设备和笔记本电脑等应用的设计人员面临降低电源设计中电感高度的挑战，以满足更薄的低侧高终端系统要求。有鉴于此，快捷半导体(Fairchild)昨日宣布，提供第二代XS DrMOS系列FDMF6708N，这是经全面优化的小型整合式MOSFET解决方案加驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频率的同步降压DC-DC应用。

FDMF6708N整合了一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个靴带式萧特基二极管，采用增强热性能的6x6mm2 PQFN Intel DrMOS v4.0标准封装。

FDMF6708N可让设计人员节省50%的占位面积，同时提供高开关频率和高功率密度。该组件的零交越检测(ZCD)功能改善能够轻负载效率，延长了电池寿命。与传统离散解决方案不同，FDMF6708N使用最新的控制FET和SyncFET技术及源极电感更低的clip-bond封装，在满负载下提供高效率。

而传统离散解决方案需要更大的PCB空间、更长的布局走线、更厚的电感，以及更多的组件，因而在使用较薄磁性组件所需的较高频率下，会出现散热性能不良。

FDMF6708N采用PQFN 6x6mm2 封装，与最接近的竞争产品相比，该组件在峰值负载下(15A)效率提高2.5%，在满负载条件下(30A)效率改善6%。该组件适用于要求开关频率在600KHz – 1.0MHz，输入电压高达20V的应用。

可让设计人员使用更小、更薄的电感和电容，缩小解决方案的尺寸，同时满足散热要求。FDMF6708N组件能够帮助设计人员应付设计挑战，设计出更炫酷、更薄，而且具有更高效率的Ultrabook产品。