联华电子公司与SuVolta公司,宣布联合开发28奈米制程。该项制程将SuVolta的Deeply Depleted Channel(tm) (DDC)晶体管技术整合到UMC的28奈米High-K/Metal Gate(HKMG)高效能移动(HPM)制程。SuVolta与UMC正密切合作利用DDC晶体管技术的优势来降低泄漏功耗，并提高SRAM的低电压效能。

这两家公司还宣布该制程技术将提供高度灵活的采用方式：

"DDC PowerShrink(tm)低功耗平台"选项：所有晶体管都使用DDC技术以实现最佳功耗与效能优势；

"DDC DesignBoost晶体管调换"选项：用DDC晶体管取代现有设计中部分晶体管。该选项的典型应用是用DDC晶体管取代泄漏功耗大的晶体管来降低泄漏，或者取代SRAM位单元晶体管从而提高效能并降低最低工作电压(Vmin)

UMC先进技术部副总裁T.R.Yew表示："在接下来的几周或者几个月，我们期待看到与SuVolta联合开发的技术有良好的结果，从而进一步验证DDC技术为UMC的28奈米 HKMG制程带来的功耗与效能优势。通过将SuVolta的先进技术引进到我们的HKMG制程上，我们将提供28奈米移动计算制程平台，以完善我们现有的Poly-SiON及HKMG技术。"

SuVolta?裁兼首席?行官Bruce McWilliams博士表示："UMC与SuVolta?????DDCSuVolta总裁兼首席执行官Bruce McWilliams博士表示："UMC与SuVolta团队继续将DDC技术集成到UMC的28奈米制程，取得优秀的进展。通过合作，我们开发的制程使得UMC客户的设计易于移植。此外，SuVolta为业界提供选择，以替代昂贵而复杂的制程技术，从而推动未来移动器件的发展。"