凌力尔特（Linear）日前推出LTPoE++、PoE +和相容于PoE的受电装置（PD）介面控制器LT4276，主要应用为要求2W至90W电源应用。 LT4276整合了PD控制器及隔离的切换稳压器控制器，可同步操作于顺向或返驰架构，并具备辅助电源支援。此整合透过缩减零件数及板面空间而得以简化前端PD的设计，使LT4276A（LTPoE++）、LT4276B（PoE+）及LT4276C（PoE）可透过单一IC高效率地提供电源至PD 负载。

凌力尔特LTPoE++、PoE +和相容于PoE的受电装置介面控制器LT4276

凌力尔特的LTPoE++标准透过将功率预算扩展成包含四种不同的功率位准（38.7W、52.7W、70W和90W）而延展了对于今日新型高功率需求应用的支援，如微微蜂巢式基地台（picocell）、指示标志和高热户外摄影机。

不同于整合功率MOSFET的传统PD控制器，LT4276透过控制外部MOSFET以大幅降低整体PD热损，并达到最大功率效率，这对于更高功率位准相当重要。此创新方式可让使用者依照应用的特定散热及效率需求决定MOSFET，必要时可使用低导通阻抗的30m? RDS（ON） MOSFET。 100V 额定输入电压代表着LT4276 的强固性，并保护PD免受常见的乙太网路线突波影响。

LT4276具备工业和延展性温度等级版本，可分别支援摄氏-40度至85度以及摄氏-40度至125度的操作接面温度范围，该元件采用小型、符合RoHS标准的28接脚4mm x 5mm QFN封装。 LT4276提供对于凌力尔特现有PD产品的升级路径，包括LTC4275 LTPoE++ PD 控制器及对于任何凌力尔特最新PSE控制器的无缝连接，包括單埠LTC4274、4埠LTC4266、8埠LTC4290/71晶片组以及12埠LTC4270/71晶片组。 LT4276 同样可与LT4321 理想二极体桥接器控制器搭配，以提供最高的功率并降低PD热损。（编辑部陈复霞整理）

产品特色

‧IEEE 802.3af/at 及LTPoE++90W受电装置（PD）控制器具备顺向及返驰控制器

‧LT4276A 支援以下所有标准:

*LTPoE++ 38.7W, 52.7W, 70W & 90W

*符合IEEE 802.3at 25.5W规范

*符合IEEE 802.3af 至13W规范

‧LT4276B 符合 IEEE 802.3at/af 规范

‧LT4276C 符合 IEEE 802.3af 规范

‧突波保护（100V 绝对最大值）

‧宽广的接面温度范围（摄氏–40度至125度）

‧可设定辅助功率支援至9V

‧无需光隔离器以进行返驰操作

‧外部Hot Swap N通道MOSFET以达到最低功耗和最高系统效率

94% 端對端效率具備LT4321 理想二極體橋接器"‧94% 端对端效率具备LT4321 理想二极体桥接器

‧供货28接脚 4mm x 5mm QFN 封装