安森美半导体（ON Semiconductor）近日宣布推出整合型同步整流器，此整合方案解决设计人员需采用分离组件来达到高功率密度所面临的难题。

安森美半导体专用产品营销经理Sue Nee表示，「目前的同步整流设计，要达到高效率水平的要求十分困难。一般的设计需用许多分离组件，而且还需很长的设计时间以获得正确的系统设计。我们推出NIS6111，设计师可以快速容易地克服设计困难。NIS6111操作简单，应用广泛，只需略为改变布局就能融入现有的电源设计。」

安森美半导体表示，专利产品NIS6111为高速、高效率的混合整流器，可将高速比较器和MOSFET驱动器与功率MOSFET耦合在一起，产生一个与MOSFET具有相同正向压降特性的二极管。NIS6111的低正向压降和快速转换功能提高了效率且无需使用庞大的散热器。它们透过降低返驰或谐振拓扑架构开关电源中的次级整流结温实现此目标。由于该产品无需接地，可轻易地取代开关电源中损耗式整流器，用作二埠的整流器。

NIS6111能阻隔达24伏（V）的电压，且在20安培正向电流时的典型正向压降为0.1V。阻隔60V和100V电压的版本将于2005年后期推出，进一步扩大BERS系列。除开关电源设计外，NIS6111还可作为服务器和电信设备等常用产品中的ORing二极管。它提供的解决方案不像分离的ORing控制器和MOSFET那样容易受到印刷电路板布局问题的影响，这类问题包括振荡或较慢的故障恢复速度。此外，NIS6111还可增加额外的MOSFET，提高其功率处理能力。NIS6111可以和NCP1207，NCP1651等初级端PWM控制器搭配使用，使设计更简单且更具可购性。