凌力尔特(Linear Technology)日前发表三组输出μModule稳压器LTM4632,可驱动所有新QDR4及旧式DDR SRAM:VDDQ,VTT和VTTR(或VREF)的所有三组电压端。 LTM4632采用微型、轻量的LGA封装(6.25mm x 6.25mm x 1.82mm),可焊接在PCB的背面,加上一个电阻和三个电容只占0.5cm2(双面)或1cm2(单面)。元件提供3A VDDQ和±3A VTT(= 1/2 * VDDQ),而两个并联的LTM4632可为更大的记忆体组提供每轨高达6A。针对高于6A VDDQ之应用,LTM4632可与LTM4630配置,以为非常大阵列的SRAM提供18A和36A之间的VDDQ。如果VDDQ已可使用,LTM4632则可经由配置来提供达6A之两相单一VTT输出。
![凌力尔特用于 DDR 及QDR4 SRAM 的μModule 稳压器可操作于 3.3VIN 至 15VIN](/news/2016/04/21/1826449580S.jpg) |
凌力尔特用于 DDR 及QDR4 SRAM 的μModule 稳压器可操作于 3.3VIN 至 15VIN |
LTM4632可从3.3V的低输入电源及标准5V和12V输入(高达15V)操作。两组输出电压(VDDQ和VTT)任一组的范围均为0.6V到2.5V,第三组输出为低杂讯10mA缓冲输出,可用于VTTR的SRAM。应用范围包括PCIe、云端系统、RAID、视频处理和使用SRAM的网路:包括DDR / DDR-II/ DDR-III / DDR4/ QDR/ QDR-II/ QDR-II+和QDR4。
LTM4632具备三组输出DC/DC稳压器,其由2个电路分配,同时包含电源开关、电感及支援零组件,所有均纳入精小、超轻薄的封装。 LTM4632 额定操作温度为摄氏–40度至125度。
产品特色
‧ 完整的DDR/QDR 4 记忆体电源方案仅占 1cm2 (单边PCB) 或 0.5cm2 (双边 PCB)
‧ 3A VDDQ + 3A VTT 或双相单一 6A VTT
‧ 宽广输入电压范围: 3.6V (具备可连接至INTVCC 的VIN ) 至15V
‧ 0.6V 至 2.5V 输出电压范围
‧ +/-1.5%,+/-10mA 缓冲 VTT = VDDQ/2 输出
‧ 外部频率同步
‧ 超轻薄6.25mm x 6.25mm x 1.82mm LGA 封装