國際整流器公司(IR)，推出專為筆記簿型電腦、伺服器CPU電源、圖像，以及記憶體穩壓器應用的同步降壓轉換器設計而優化的全新30V DirectFET MOSFET系列。

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新元件系列結合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET矽技術與先進的DirectFET封裝技術，較標準SO-8元件的佔位面積少40%，更採用了0.7mm纖薄設計。新一代30V器件的導通電阻(RDS(on))非常低，也同時把閘電荷(Qg)和閘漏極電荷(Qgd)減至最少，並以極低的封裝電感來減少傳導與開關損耗。

IR台灣分公司總經理朱文義表示：「憑著我們作為業界標準的功率MOSFET矽元件和DirectFET封裝，新的30V元件擁有非常低的RDS(on)、Qg和Qgd，為全部負載提高效率與溫度效能。這讓操作可達致每相位25A，同時又可以維持單一控制和單一同步MOSFET的小巧體積。」

IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M，以及IRF6727M的特點是擁有極低的RDS(on)，使它們十分適合高電流同步MOSFET。這些新元件與上一代元件採用通用的MT和MX佔位面積，所以當有應用須要提高電流水平或改善溫度效能時，能輕易由舊元件邁向使用新元件。

IRF6721S、IRF6722S與IRF6722M的極低Qg和Qgd，則讓這些元件適用於控制MOSFET。它們並備有SQ、ST和MP佔位面積選擇，使設計可以更具靈活性。