帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
美光將發表低功率DRAM搶攻無線通訊市場
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2001年02月07日 星期三

瀏覽人次:【4062】

SDRAM今年前景未明,為尋求產業第二春,DRAM巨擘美光(Micron)將在下周於美國發表低功率(low power)DRAM,產品定名為BAT-RAM,將搶攻無線通訊市場,Infi neon、韓國三星等隨後也都將在下半年推出低功率DRAM樣本,預料將逐漸對低功率SRAM產生衝擊。

美光DRAM行銷處長Jeff Mailloux表示,美光將於12日在美國發表低功率DRAM產品BAT-RAM,將DRAM應用領域由桌上型電腦正式帶往包括行動電話、個人數位助理(PDA)以及口袋型電腦等無線通訊領域,耗電與晶片封裝都將比標準型DRAM大幅減少,當然能接受的溫度變化也比標準型範圍加大。

Mailloux指出,美光是在客戶長期要求下推出此項產品,預料這項業界創舉將會為DRAM在未來第三代或第二‧五代行動電話中開拓新應用所帶來需求。

關鍵字: SDRAM  DRAM  美光  Infineon(英飛凌三星(Samsung動態隨機存取記憶體 
相關產品
英飛凌新款高性能微控制器AURIX TC4Dx可提供高速連接
英飛凌首款20 Gbps通用USB周邊控制器提供高速連接效力
英飛凌推出EiceDRIVER 125 V高側閘極驅動器 故障即時保護電池
英飛凌CoolSiC蕭特基二極體2000 V直流母線電壓最高可達1500 VDC
英飛凌針對汽車應用的識別和認證推出新型指紋感測晶片
  相關新聞
» 英飛凌攜手Stellantis力推下一代汽車電力架構
» 三星發表ALoP相機技術 讓夜拍更清晰、手機更輕薄
» 美光高速率節能60TB SSD已通過客戶認證
» 豪威集團推出用於存在檢測、人臉辨識和常開功能的超小尺寸感測器
» 英飛凌2024會計年度營收利潤雙增 預期2025年市場疲軟
  相關文章
» SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術
» 以雷達感測器大幅提高智慧家庭的能源效率
» 為綠氫製造確保高效率且穩定的直流電流
» 揮別製程物理極限 半導體異質整合的創新與機遇
» AI運算方興未艾 3D DRAM技術成性能瓶頸

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BM8M3NSQSTACUKB
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw