近几年太阳能发电系统和产业用各种电源装置、电动汽车、家电等功率电子领域，为了能藉由提升功率转换效率，进而节能，市场需求效率更高、更好的功率元件。 SiC元件的材料物性比传统的Si元件还要好，已经逐渐为上述应用装置所采用。尤其是伺服器等须提升电源效率的装置，电源上使用SiC-SBD产品，就能充分发挥该产品的高速回复特性，运用在PFC电路后，可望进一步提升装置的效率。而在上述用途之中，最重要的莫过于突波电流的耐受量了。ROHM半导体的SiC-SBD产品进一步扩大应用范围，采用了新的元件构造，成功研发出最低VF值的特性，同时又具高突波电流耐受量的产品。

图1

ROHM半导体针对伺服器和高阶电脑等的电源PFC电路，研发出最适合的第3代SiC（Silicon Carbide：碳化矽）萧特基二极体（以下称为SiC-SBD）「SCS3系列」。本产品采用全新的构造，保持前代SiC-SBD最小顺向电压（VF=1.35V、摄氏25度），同时又可以确保高突波电流耐受量。如此一来，就能够运用在伺服器和高阶电脑等的电源PFC电路上，进而提升应用装置的效率。

图2

图3

技术特色

1.保有低VF特性又具高突波电流耐受量

此次研发的第3代SiC-SBD「SCS3系列」，为了能够实现高突波电流耐受量，特地采用了JBS（Junction Barrier schottky）构造。原有的产品已经采用可以提升突波电流耐受量，以及改善漏电流特性的构造，但ROHM半导体最新的第3代，则是在保留原有的特点之下，进一步改善第2代SiC- SBD的低VF特性，制造出性能更高的产品。

图4

2.顺向最小电压（VF=1.35V/摄氏25度、1.44V/摄氏150度）

ROHM半导体在制造第2世代的SiC-SBD时，藉由改善制程和产品构造，做到了最小的顺向电压。本产品在高温环境之中，拥有比第2代产品更低的VF值，导通损耗更低、效率更高。

图5

3.低漏电流特性

一般而言，降低顺向电压后反而会增加逆向漏电流，但ROHM半导体最新的第3代SiC-SBD，由于采用了JBS构造，能成功降低漏电流和顺向电压。本产品相较于第2代SiC-SBD，额定电压只有1/20左右(650V、Tj=150℃时)，所以能有效降低漏电流。

图6

图7

本产品适合于个人电脑、伺服器、空调设备等应用装置的高阶电源装置内部PFC电路，除了针对TO-220ACP封装推出多款产品。此外，ROHM预计日后在TO-263AB（表面安装型）研发适合的产品。