三星電子（Samsung）自1983年成功開發64K DRAM而震驚業界以來，即不斷銳意精進，大幅增加對設備及研發的投資，以取得最新的生產技術並拉大與對手差距。目前其在全球半導體製造商中排名第二，僅次於Intel，在DRAM（28％）、SRAM（32.5％）、NAND型Flash（65％）的市佔率均維持世界第一。展望未來，Samsung將以記憶體、非記憶體晶片、系統LSI與LCD等關鍵零組件的競爭力為根基，擴大行動電話與數位電視等的版圖，並以此為基礎，強化行動網路（MobileNetwork）、家庭網路（HomeNetwork）與企業網路（OfficeNetwork）事業，並持續蓄積提供系統產品解決方案的事業力量，以藉此發展未來事業，因此預期其半導體事業將發揮因應未來市場變化的關鍵作用。

Samsung半導體發展沿革

南韓半導體產業發展始於1974年，在一位韓裔的美國工程師姜基東的推動下，由南韓的Korea Engineeringand Manufacturing與美國的Integrated Circuits International合資成立韓國半導體（Korea Semiconductor），韓、美雙方各持股一半，後由Samsung陸續於1975年及1978年分別買下韓方及美方的各50％股權，使該公司成為Samsung子公司，並改名為「三星半導體通信公司」，初期以生產電子錶、微波爐、計算機等使用的IC為主，1978年開發出線型IC的技術，1983年2月正式宣布進軍半導體產業後，即於是年12月成功開發出64K DRAM而震驚業界，此後即不斷大舉投資以擴充產能，取得最新的生產技術，與美日先進業者的技術差距也由初期的4.5年，逐步縮短至半年，如(圖一)，甚至從1992年領先日本業者率先開發出64M DRAM，到2001年2月發表4G DRAM為止，10年期間歷經四代，未曾讓出龍頭寶座。

《圖一　Samsung的DRAM技術發展歷程》 資料來源：Samsung；拓墣產業研究所整理（2003/09）

Samsung自1980年代初期即將主力產品設定為DRAM，自Sharp與Micron等引進技術後，即大力投入DRAM開發，即便於1985年、1987年陸續遭遇全球性半導體景氣低迷，Samsung仍持續投資於256K（於1985年開始量產）及1M DRAM的技術開發，1988年適逢半導體產業景氣復甦，Samsung即因設備投資已完成，而順利進入1M DRAM量產；1990年Samsung開始量產4M DRAM，並取得市場的領先地位；1993年則首度超越NEC，贏得全球DRAM產量第一的寶座。

1997年南韓遭遇嚴重的金融危機，Samsung在南韓政府強力的要求下，進行大幅度的改革與重整，由於資金取得困難，加上全球半導體市場仍不景氣，使其投資腳步放緩，但隨著1999年半導體景氣的復甦及DRAM價格大漲，使得Samsung大幅獲利，並大幅增加對設備及研發的投資。歷經金融風暴的洗禮使得Samsung的體質更加健全，加上幸運地碰到半導體的景氣復甦，讓該公司得以稍加喘息，並透過設備投資能力的增加，堅持在景氣蕭條時進行支出規劃，以持續從事先行研發的方式保持其技術優勢。

與國外廠商策略聯盟引進技術

隨著Samsung登上記憶體技術的領先地位，也為其與國外的競爭對手進行策略聯盟開啟了新的機遇，在DRAM方面，由於Samsung技術能力最強，因此較有對等合作的策略聯盟，例如與NEC交換256M DRAM的開發方面的技術資訊；與沖電氣合作開發16M SDRAM；與Toshiba合作開發Flash等，在其他方面則大部份是技術引進的案例。如(表一)。

由於DRAM受景氣波動的影響極大，因此為了降低記憶體的比率，Samsung自1999年起積極自海外引進非記憶體的技術，例如收購美國HMS（Harris Microwave Semiconductor）和ISD（Information Storage Device）公司合作開發聲音訊號IC，自ARM（英）引進RISC技術，自Digital Equipment（美）引進64位元微處理器技術，自意法微電子（STMicroelectronics）引進DSP技術，自Sun Microsystem（美）引進Java微處理器技術，並開發CDMA通訊方面的系統LSI，希望能增加系統LSI的生產技術，提高這方面的生產比重，達成記憶體與非記憶體並駕齊驅的地步。

Samsung半導體發展現況與市場佈局

根據Gartner最新報告顯示，2003年全球半導體市場規模估計約為1750億美元，較2002年成長11.8％；市場上明顯出現工廠產能利用率提高，存貨水準下跌的現象。不過對於個別廠商而言可說是幾家歡樂幾家愁。若以營收排名，英特爾（Intel）仍然是全球半導體市場的盟主，佔有16％的市場；這也是該公司連續第12年穩坐龍頭廠商寶座。Samsung居次，排名第三位的是由Hitachi與Mitsubishi Electric攜手成立的瑞薩半導體（Renesas）；如(表二)。以產品別而言，在Flash與DRAM方面，曝光度較高的業者景況較佳，與2001及2002年景況慘淡的情況不可同日而語。

DRAM市場：固守霸主地位　強化攻掠DDR2市場

2003年Samsung半導體的出口規模約達100億美元，2004年在全球IT景氣復甦的帶動下，預期出口規模將可創下歷年新高記錄。在DRAM市場方面，2003年Samsung仍稱霸全球，全球市佔率達28.1％，不過卻呈現2.3％的負成長，如(表三)，此乃因2003年10月以來，DRAM價格因市場需求未見增溫而下跌，而NAND型Flash則因缺貨價格飆漲，在製程可以互換的情形下，Samsung陸續轉撥產能投入NAND型Flash市場，而此一動作也削減了DRAM產能，2003年Samsung的 DRAM位元成長率即僅達30％。

展望2004年，Samsung計劃在DRAM市場固守霸主地位，以優勢的技術力為基礎，及早開發新一代記憶體半導體，並導入量產。此外，基於既有DDR產品中，高附加價值產品－－「DDR400」佔整體DRAM中的比重已在去年底超過80％，而目前DDR333與DDR400的溢價降低到10％左右，顯示DDR400產品已成市場主力，Samsung認為DDR產品的第一階段升級已告一段落。基此，Samsung除將以之為主力產品外，並將逐步強化對DDR2市場的攻掠。

Samsung自2003年3月開始投產DDR2 512M與1G模組產品，基於預期Intel將在2004年第一季推出支援DDR2的晶片組，有助於DDR2 DRAM市場的成形，Samsung計劃自2004年開始擴大DDR2 512M與1G模組產品的生產規模。在2003年初時，Samsung的DRAM產量中，仍以DDR266與DDR333為主，DDR400佔有的比重還不到50％。然在2003年第三季時，為加速主力產品的轉換，Samsung將DDR400的溢價由第二季的30％左右降低到15％左右，又在第四季降低到10％的水準。儘管2003年DDR2在整體DRAM中佔有的比重極微，然基於策略性考量，Samsung將在2004年大幅擴增DDR2的生產比重，以藉此將產品加速轉換到高附加價值產品。

Flash爭霸戰：2006年稱霸全球Flash市場

Samsung除持續稱霸DRAM、SRAM市場外，近來在Flash產品方面亦銳意精進，銷售成績大幅上揚，2003年其成長率大約是整體市場的兩倍之多，由於NAND型Flash的平均售價較高，因此Samsung也將部份DRAM產能移轉給NAND型Flash，而其與Intel之間的差距也日益縮短。根據iSuppli公佈的統計數據，2003年第三季Samsung在Flash領域的銷售額達6.15億美元，並以20％的市佔率居首，首度超越Intel。iSuppli並預估NAND型Flash市場規模將由2003年的38億美元，快速擴大到2005年的65億美元（年增72.2％），而Samsung則可望在2006年，全面超越Intel稱霸全球Flash市場。

Intel與Samsung主打的Flash晶片規格並不相同，Intel主推NOR型Flash，Samsung則是NAND型Flash；NOR型與NAND型Flash兩者間的差別如(表四)所示。目前NOR型Flash市場由Intel和AMD主導，NAND型 Flash則由Samsung和Toshiba合計佔有80％的市場，其中Samsung的全球市佔率更高達65％以上。

由於NAND型Flash寫入資料速度較快，且儲存相同資料的價格只有NOR型Flash的1/3，因此近來普遍受到數位相機業者愛用，以紀錄影像資料。而NAND型Flash市場的快速成長，也帶動Samsung銷售成長。雖然Intel對NOR型Flash市場仍抱持相當樂觀的態度，並認為未來NOR型Flash仍將是手機內建晶片的主流。但目前有越來越多的手機業者將NAND型Flash內建於其高檔的手機產品，並且研發外加的儲存媒體，甚至有廠商嘗試將NOR型Flash的功能整合到NAND型Flash，隨著NAND型Flash逐步侵入NOR型Flash的固有應用市場，其長期的利基不免令人憂心。

而Samsung除了在NAND型Flash市場大有斬獲外，甚至還提供客戶NOR型Flash，以達到挖對手牆角來擴張市佔率的目的，其中包括Intel的大客戶Nokia也在攏絡的範圍，此舉對Intel而言更如芒刺在背。儘管目前NOR型Flash市場規模仍大於NAND型Flash，然由於需求大容量數據儲存的數位、Mobile產品市場快速擴大，將帶動NAND型Flash的需求激增，預期到2006年時，NAND型產品在整體Flash市場中佔有的比重，將由2004年的34.1％提高到54.1％，並超越NOR型產品；NOR型產品佔有的比重則將由2004年的65.9％降低到45.9％。

雖然Micron與Hynix等業者因NAND型Flash的需求大幅增加，而擬加入此一市場競逐，但預期上述公司要在此一領域步入正軌尚需費時一兩年。屆時Flash價格將下滑，要趕上生產效能居於領先的Samsung將極困難，而且Samsung與Toshiba仍掌握核心製程技術，因此，短時間內後進者對市場及價格應不會有太大影響，加上後進者初期也僅能在低容量部份著墨，屆時Samsung與Toshiba早已繼續升級至量產更高容量領域的產品，因此其霸主地位不易憾動，預估該市場未來3～5年仍將由Samsung與Toshiba所寡佔。

積極開發大容量NAND型Flash產品搶攻行動裝置市場

Samsung已於2003年9月率先開發出採用70奈米製程的4Giga NAND型Flash，並在2003年12月率先推出記憶體產品中容量最大的8Giga NAND型Flash，將以此主攻需求大容量記憶體的數位相機、手機、USB隨身碟、PDA與MP3播放機等Mobile產品市場。Samsung此次推出的8G產品，係採用其自行開發的4段積層封裝技術，將4顆同樣大小的2 G NAND Flash積層於單一封裝（厚度1.2㎜）。同時，使用於8G NAND Flash的2G NAND Flash係採用SLC（Single Level Cell）技術，而非大部分業者採用的MLC（Multi Level Cell），在速度與耐久性上優於採用MLC技術的產品。

藉由此一產品的推出，Samsung將具備2G NAND型Flash單品、積層兩顆2G晶片的4G產品，以及積層4顆2G晶片的8G產品等多樣化Flash產品群，並可更加彈性因應最近快速成長的大容量、超高速NAND型Flash市場需求。Samsung並已於2003年第三季啟用12吋晶圓專用廠「Fab12」，用於生產Flash與DRAM，進一步強化居於領先的技術能力與量產能力，預期未來其Flash的出口將大幅增加，並與DRAM並列其兩大出口產品。

資本支出：半導體景氣復甦　Samsung資本支出再登頂峰

Samsung將在2004年第一季與第二季大舉進行投資，預期2004年的總投資額將達5兆韓元（約42億美元），約較2003年的4.2兆韓元（不含LCD領域）增加20％。此外半導體產業若因PC換機潮與奧運等因素而持續成長，Samsung將在下半年調整投資計畫，因此預估其2004年的整體設備投資規模有可能超過5兆韓元。

Samsung將針對12吋晶圓廠進行大規模投資，計劃於華城Fab12廠的Phase2（第二階段）與Phase3（第三階段）建構上，投資3兆韓元（約25.1億美元），並在Fab13新廠投資1兆韓元（約8.4億美元）左右，以藉此大幅擴增12吋晶圓產能，預期到2004年年底時，Samsung的12吋晶圓加工能力，將由目前的每月2.5萬片（Fab11廠MPS Line的1萬片加上Fab12廠Phase1的1.5萬片）大幅擴增到每月7.4～7.7萬片，增加約三倍，並成為全球最大的12吋晶圓製造業者。

由於12吋晶圓廠的晶片產量較8吋晶圓廠約高出2.25倍，且良率提高40％以上，因此Samsung將藉由12吋廠的產能擴充，穩佔全球30％的DRAM市場，並鞏固市場主導權。目前Samsung預定在2004年第一季季底前，完成每月可加工處理1.3萬片12吋晶圓的Fab12廠Phase2的建構作業。同時，在2004年2月中旬左右，完成每月可加工處理1~1.3萬片12吋晶圓的Fab13廠Phase1的設備投資與設備Set-up，並在2004年第二季開始啟用。

至於Fab12廠Phase3，Samsung計劃在2004年4月或5月完成設備Set-up，Phase3將具備至少1.3萬片的12吋晶圓月處理能力。此外，Samsung還計劃在2004年7月進行Fab13廠Phase2的投資，推估Fab13廠Phase2的12吋晶圓月處理能力約1.3萬片。預期2004年Samsung的記憶體產量（以128M為基準），將由2002年的12億顆左右，以及2003年的17億顆左右，大幅擴增到25億顆左右，並可望在2004年持續稱霸全球DRAM、SRAM與Flash市場。

Samsung並計劃在南韓政府容許企業於首都圈增設工廠的2004年1月起，分階段擴建華城半導體廠區Fab14廠與Fab15廠，並投入4000到5000億韓元（約3.3～4.2億美元）進行相關基礎工事。Samsung計劃將華城半導體廠的廠區由30萬坪擴增到47萬坪，並在2010年之前總計投資600億美元，以藉此將目前已完工及興建中的6條生產線倍增到12條，目的在於將華城半導體廠培植為全球性記憶體生產基地。預估在完成上述擴廠目標後，華城半導體廠的年出口額將達750億美元。至於現有生產線的升級上，也將投入5千到6千億韓元（約4.2～5億美元）資金。另外，為強化非記憶體晶片事業，Samsung還計劃在器興廠Fab8與Fab9廠旁，建構系統LSI專用12吋晶圓生產線。

市場策略：2004年主攻中國大陸市場

根據Dataquest的預估，預期到2005年時，中國大陸半導體市場規模將由2003年的284億美元快速成長到467億美元。由於中國大陸市場快速擴大，且需求逐步由低附加值產品轉向高附加值與尖端產品，因此2004年Samsung將以擴大出口市場及新一代產品，在全球市場一爭勝負，並以攻掠中國大陸市場為勝負關鍵；Samsung大陸市場佈局如(圖二)。

Samsung計劃在2006年之前，將其稱霸中國大陸市場的產品，由目前的SRAM、DDI（顯示器驅動晶片）、VCD晶片與筆記型電腦用LCD等四項大幅擴增到18項，並將其在中國大陸的半導體領域銷售額提高到50億美元以上，亦即較去年的16億美元增加3倍以上。同時將積極強化、擴大其在中國大陸的研發、生產與行銷。Samsung半導體部門總經理李潤雨表示，Samsung將強化半導體與TFT-LCD產品在中國大陸的開發、生產與行銷，並躍升為在中國大陸最受信賴的數位企業，李潤雨認為，Samsung在中國大陸擴大半導體事業，將會是引領Samsung半導體與LCD事業邁向新階段的一大契機。

Samsung於2003年12月在中國蘇州舉行半導體廠（SESS）第三生產線的竣工儀式，並啟用中國半導體研究所（SSCR）。基此，除記憶體組裝廠（蘇州）與銷售據點（北京、上海）外，Samsung在中國大陸市場亦將具備研發中心，此舉將有助於Samsung搶佔中國大陸半導體市場先機。此次啟用的記憶體專用第三生產線，主要用於組裝生產256M以上的大容量DRAM及Flash與SRAM等記憶體，該生產線到2004年年底時將具備4千萬個以上的記憶體月產能。

Samsung蘇州半導體廠第一生產線係在1996年竣工，目前每月組裝生產3500萬個到4000萬個左右的系統晶片（System LSI）；第二生產線則係在去年啟用，目前月產200萬個到300萬個左右的記憶體模組。而設立半導體研究所則是為了因應當地客戶需求，開發符合當地市場需求的半導體產品，並藉此搶佔中國大陸市場先機。除蘇州半導體研究所外，Samsung還計劃在2004年初於杭州設立第二個半導體研究所。未來蘇州研究所將重點研發封裝，杭州研究所則將主力研發MCU與Optical SOC等系統解決方案（SI）。

同時Samsung中國大陸半導體研究所計劃在2005年之前，聘用140名以上的研發人力，並將與北京大學、清華大學與復旦大學等知名大學進行合作。Samsung還計劃在今年上半年於杭州設立第二個半導體研究所。未來蘇州研究所將重點研發新一代封裝，杭州研究所則將主力研發MCU。Samsung今年將正式啟動在中國的三大（開發、生產、銷售）核心軸，加速擴大其在中國的半導體事業。同時除記憶體與非記憶體半導體外，TFT-LCD部門亦著手進行後續投資。

《圖二　Samsung中國市場佈局》 資料來源：朝鮮日報，2003/12；拓墣產業研究所整理（2004/01）

結論－未來展望

Samsung以半導體的成長為養分，晉升為世界級企業。目前其在半導體領域，正準備進行第二次躍升，計劃透過轉換過於偏重記憶體的事業結構，達成在記憶體與非記憶體晶片等所有領域稱霸全球的目的。

在記憶體事業方面，Samsung的策略為強化Flash、SRAM與複合晶片等事業，以擺脫對價格波動極大的DRAM的過度依賴。同時，決定將DRAM事業的重心，由泛用產品轉向高附加價值產品，策略上將增加伺服器、工作站、NB與繪圖用高單價產品比重，並朝適用於新一代行動電話、超小型數位相機與客戶訂製型遊戲機等各種產品的「Solution DRAM」發展，計劃在2005年時將「Solution DRAM」事業比重拉高到與泛用DRAM相當的水準；如(圖三)。

此外，由於預估Flash的年複合成長率將達54％，Samsung計劃強化此一領域，以掌握記憶體領域的主導權，並計劃在2005年之前，將SRAM與Flash的比重，拉高到整體的50％。

《圖三　Samsung記憶體事業未來發展願景》 資料來源：Samsung；拓墣產業研究所整理（2003/09）

對於將電路線寬微縮到奈米水準的半導體製程技術，以及除矽晶（Silicon）以外，以砷化鎵（GaAs）與矽鍺（SiGe）等新的半導體為材料的先進半導體的開發，亦正積極促進。目前已確保90奈米核心技術，計劃在2004年應用於量產；50奈米以下的技術亦正研發中。同時，於生命工學結合電子技術的生物晶片（Bio-chip），亦將列為未來事業，並在研究單位進行相關技術研發。

在非記憶體事業方面，Samsung為後援數位整合產品的開發，正針對提供解決方案的非記憶體晶片事業，促進強化方案。同時，由於非記憶體晶片市場規模約達記憶體的三倍，未來還有成長空間，價格漲跌亦不若記憶體般激烈，因此，朝此一方向發展，還可降低對記憶體的過度依賴。Samsung計劃在2005年之前，將非記憶體晶片領域的的銷售額擴增到50億美元，並以進入全球前五大為目標。

總言之，Samsung的策略在於以DRAM、SRAM與Flash等記憶體的各種產品組合及市場優勢為基礎，主導記憶體半導體的標準與價格走向，並以此強化行銷，擘畫其全球半導體霸主版圖。未來Samsung將以優勢的技術力為基礎，及早開發新一代記憶體半導體並導入量產，以此搶佔市場先機；同時，將進一步鞏固其在DRAM市場的地位，並維持其在DDR400與DDR2等高速DRAM的市場主導權，藉由高附加值產品的生產與出口，在市場上一爭勝負。

（作者任職於拓墣產業研究所）