E-pHEMT（增強模式高電子遷移率電晶體）是一種專為使用單一正電壓源的無線通訊應用而優化的半導體製程。在零閘偏壓時，或電流汲極Id在邏輯閘信號源電壓（Vgs）等於0 VDC的情況下達到飽和位準（Idss）時，一般的消耗模式pHEMT便會進行傳導。E-pHEMT在零閘偏壓時並不會進行傳導動作，所以當Vgs = 0 V時，Id = 0。因此，它不像消耗模式的元件，必須使用負電壓（用來啟動）來操作。其他的砷化鎵金屬半導體場效電晶體（GaAs MESFET - 也可簡稱為GaAs FET）和高電子遷移率電晶體（HEMT）也使用正電壓來操作，並需要負電壓來啟動。為提供負電壓而使用的額外元件，將會提高系統的成本、佔用寶貴的電路板空間、並且需要額外的設計。

安捷倫E-pHEMT技術的發展過程

安捷倫於1980年代，在當時位於加州Palo Alto的HP實驗室（現為安捷倫實驗室）發展出它的第一個E-pHEMT元件，最初的動機其實是要發展數位信號處理所需的IC。對該項應用來說，個別的電晶體必須很小，並完全配合IC的佈局。一個電晶體平均的邏輯閘周邊為100微米，並強調臨界電壓應一律小於30 mV。以2,000個電晶體的整合層次來看，洩漏電流並不是很重要，這在當時對GaAs來說是一個值得達到的目標。
...
...