基於碳化矽(SiC)的功率半导体具有高效率、高功率密度、高耐压和高可靠性等诸多优势,为实现新应用和推进充电站技术创新创造了机会。近日,英飞凌科技宣布与中国的新能源汽车充电市场相关企业英飞源 (INFY) 达成合作。英飞凌将为英飞源提供业内领先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体元件,用於提升电动汽车充电站的效率。
英飞凌零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer 博士表示:「英飞凌与英飞源在电动汽车充电解决方案领域的合作,将为当地电动汽车充电行业提供出色的系统级技术解决方案。它将大幅提高充电效率,加快充电速度,并为电动汽车车主创造更好的用户体验。」
英飞源中国区总裁邱添泉表示:「透过与在SiC产品领域持续精进 20 年以上并拥有强大整合技术实力的英飞凌合作,英飞源将通过采用最先进的产品工艺和设计解决方案,继续巩固并保持其在行业中的技术领先地位。我们还可以为新能源汽车直流充电解决方案的充电效率树立新的标竿,从而为客户创造更多便利和独一无二的价值,促进电动汽车充电产业的健康发展。」
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