Littelfuse推出1700V、10hm碳化矽MOSFET

Littelfuse公司推出其首款1700V碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充碳化矽MOSFET器件組合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化矽MOSFET產品的重要補充，也是Littelfuse公司已發佈的1200V碳化矽MOSFET和蕭特基二極體的強有力補充。最終使用者將受益於更加簡潔節能的系統以及潛在更低的總體擁有成本。

圖一 : 碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000支援電動和混合動力汽車、資料中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應用。

碳化矽MOSFET技術帶來的高效性可為諸多要求嚴格的應用提供多重優勢，包括電動和混合動力汽車、資料中心及輔助電源。 相比同類的Si IGBT，LSIC1MO170E1000碳化矽MOSFET可帶來一系列系統級優化機會，包括提高效率、增加功率密度、降低冷卻要求以及降低系統級成本的可能性。

「此產品可改善現有應用，並且Littelfuse應用支援網路可促進新的設計方案。」Littelfuse半導體事業部電源半導體全球產品行銷經理Michael Ketterer表示:「碳化矽MOSFET可為傳統矽基型功率電晶體器件提供富有價值的替代選擇。相比同類IGBT，MOSFET器件結構可減少每個週期的開關損耗並提高輕載效率。固有的材料特性讓碳化矽MOSFET能夠在阻斷電壓、特定導通電阻和介面電容方面優於矽MOSFET。」
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