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[Tech Spot]四大快閃記憶體替代技術

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快閃記憶體仍如日中天,智慧手機消費型設備,例如平板電腦和智慧手機,強勁地推動了快閃記憶體及整個半導體市場。未來幾年,平板電腦的市佔率將不斷增加,目前最常見的快閃記憶體類型是 NAND,一位市場分析師預測:2011 至 2015 年之間, NAND的市場複合年增長率將達到 7%。


圖一 : 三星已發表PCM產品
圖一 : 三星已發表PCM產品

技術方面,記憶體密度因採用 25nm 及以下製程技術,讓製造商能進一步擴大優勢。領先的 NAND 快閃記憶體製造商開始用 20-30nm 範圍的技術生產 64Gb記憶體,並加速使用創新的記憶體架構和結構,以滿足高密度需求。例如SanDisk 和 Toshiba 今年早些在ISSCC(國際固態電路會議)發表的一篇論文,詳細介紹了採用 19nm 3 位元/單元技術的 128Gb 的 NAND 快閃記憶體設備。


Flash的替換技術
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