英特尔公司研发人员已成功制造出全球最小、面积仅1平方微米的SRAM(静态随机存取内存)内存电路元。这些电路元是内存芯片的建构基础，被用于运用英特尔新一代90奈米(nm)制程技术所生产出功能完整的SRAM装置。这项成就是迈向2003年建置投产新制程的里程碑。

英特尔资深副总裁暨技术与制造事业群总经理周尚林(Sunlin Chou)表示：「英特尔的1平方微米SRAM电路元为芯片技术创下新的密度指针。这项技术让我们能领先将90奈米制程技术应用在微处理器与其它产品上。」

透过新推出的90奈米制程技术，英特尔可继续保持每隔二年推出新世代制程的纪录。英特尔将采用这项制程技术生产包括处理器、芯片组、以及通讯等产品。英特尔计划只在12吋晶圆采用90奈米技术。

英特尔研发人员制造出52 megabit芯片(能储存5,200万位的信息)，能在小于一角美元硬币(约台币一元硬币)的109平方微米空间中容纳3亿3,000万组晶体管 。这是有史以来容量最大的SRAM芯片。英特尔运用先进的193奈米与248奈米电路印刷工具，于位在奥勒岗州Hillsboro市的12吋晶圆厂(D1C)生产这些半导体装置。

业界经常运用SRAM芯片的生产过程来测试新一代逻辑组件的制程。缩小的内存电路元尺寸是很重要的关键，因为它让英特尔能在维持低成本的前提下，还能藉由加入更多的芯片内部高速缓存与提高整体逻辑密度，提升微处理器的效能。新开发的SRAM芯片亦成功地展示包括高效能晶体管以及高速铜导线互连技术等生产90奈米技术微处理器所需的技术。