英特爾公司研發人員已成功製造出全球最小、面積僅1平方微米的SRAM(靜態隨機存取記憶體)記憶體電路元。這些電路元是記憶體晶片的建構基礎，被用於運用英特爾新一代90奈米(nm)製程技術所生產出功能完整的SRAM裝置。這項成就是邁向2003年建置投產新製程的里程碑。

英特爾資深副總裁暨技術與製造事業群總經理周尚林(Sunlin Chou)表示：「英特爾的1平方微米SRAM電路元為晶片技術創下新的密度指標。這項技術讓我們能領先將90奈米製程技術應用在微處理器與其它產品上。」

透過新推出的90奈米製程技術，英特爾可繼續保持每隔二年推出新世代製程的紀錄。英特爾將採用這項製程技術生產包括處理器、晶片組、以及通訊等產品。英特爾計劃只在12吋晶圓採用90奈米技術。

英特爾研發人員製造出52 megabit晶片(能儲存5,200萬位元的資訊)，能在小於一角美元硬幣(約台幣一元硬幣)的109平方微米空間中容納3億3,000萬組電晶體 。這是有史以來容量最大的SRAM晶片。英特爾運用先進的193奈米與248奈米電路印刷工具，於位在奧勒崗州Hillsboro市的12吋晶圓廠(D1C)生產這些半導體裝置。

業界經常運用SRAM晶片的生產過程來測試新一代邏輯元件的製程。縮小的記憶體電路元尺寸是很重要的關鍵，因為它讓英特爾能在維持低成本的前提下，還能藉由加入更多的晶片內部快取記憶體與提高整體邏輯密度，提昇微處理器的效能。新開發的SRAM晶片亦成功地展示包括高效能電晶體以及高速銅導線互連技術等生產90奈米技術微處理器所需的技術。