力晶半导体十八日宣布与日本三菱电机(Melco)共同签署0.1微米堆栈式(Stacked)DRAM制程的技术合作备忘录，预计明年下半年移转至力晶十二吋厂并进行试产，力晶也将再与三菱合作，开发0.07微米以下先进DRAM制程。力晶十二吋晶圆厂已陆续装机，预计六月试产、第四季量产，制程技术今年将导入零点一三微米。

力晶半导体总经理蔡国智表示，从八吋到十二吋晶圆厂设备的提升，该公司资本支出大约二百亿元，在不景气时做高额投资是正确的，正好可迎接上扬的景气，当前除三菱订单外，还有其它销售管道，公司目前已没有库存，「最坏的时间已经过去」，他肯定公司第一季赚钱。

据了解，力晶下半年十二吋厂开始量产后，则将与三菱合作开发0.07微米以下的制程技术。而虽然现有黄光制程设备与材料仍无法支持，但三菱在半导体材料领域有很强的研发能力，因此双方现在仍根据既定的时间表进行制程推进，预估2004年力晶就可开始导入0.07微米制程。

力晶半导体指出，三月份DRAM合约价仍比二月份好，预估三月营收将持续走扬，且第二季一二八兆位DRAM合约价每颗将不至于跌破三美元，仍高于力晶平均制造成本二．五到二．七美元，因此，预估第二季仍可维持获利状态。