力晶半導體十八日宣佈與日本三菱電機(Melco)共同簽署0.1微米堆疊式(Stacked)DRAM製程的技術合作備忘錄，預計明年下半年移轉至力晶十二吋廠並進行試產，力晶也將再與三菱合作，開發0.07微米以下先進DRAM製程。力晶十二吋晶圓廠已陸續裝機，預計六月試產、第四季量產，製程技術今年將導入零點一三微米。

力晶半導體總經理蔡國智表示，從八吋到十二吋晶圓廠設備的提升，該公司資本支出大約二百億元，在不景氣時做高額投資是正確的，正好可迎接上揚的景氣，當前除三菱訂單外，還有其它銷售管道，公司目前已沒有庫存，「最壞的時間已經過去」，他肯定公司第一季賺錢。

據瞭解，力晶下半年十二吋廠開始量產後，則將與三菱合作開發0.07微米以下的製程技術。而雖然現有黃光製程設備與材料仍無法支援，但三菱在半導體材料領域有很強的研發能力，因此雙方現在仍根據既定的時間表進行製程推進，預估2004年力晶就可開始導入0.07微米製程。

力晶半導體指出，三月份DRAM合約價仍比二月份好，預估三月營收將持續走揚，且第二季一二八百萬位元DRAM合約價每顆將不至於跌破三美元，仍高於力晶平均製造成本二．五到二．七美元，因此，預估第二季仍可維持獲利狀態。