德国DRAM大厂英飞凌科技已与大陆晶圆代工厂中芯国际达成协议，中芯获得英飞凌90奈米DRAM沟槽式（Trench）制程技转，并在北京十二吋厂中以90奈米技术为英飞凌代工512Mb DDR2，初估英飞凌将可取得中芯北京厂每月1万5000片以上产能。至于与英飞凌共同研发90奈米的南亚科技，则密切注意后续发展中。

英飞凌虽然决定今年七月将内存事业切割独立为新公司，但基本营运策略仍然延续过去思维，为了以最少投资扩大DRAM产能，英飞凌及未来内存新公司，仍然持续采用技转换取产能方式，扩大DRAM市场占有率。其中在最先进的90奈米制程上，英飞凌除了与华邦签订合约技术移转，取得华邦中科十二吋厂部份产能外，也将与中芯签订技转新合约。