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纽约大学理工学院和法国CEA-Leti合作开发12寸晶圆磁性记忆体元件
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2024年06月25日 星期二

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纽约州立大学理工学院(NYCREATES)和法国电子暨资讯技术实验室(CEA-Leti),宣布建立战略研发夥伴关系,初期将聚焦於用於储存电脑数据的磁性记忆体元件的研发,并将在300mm晶圆上进行生产。

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第一个联合研究项目旨在展示两种新型记忆体装置:自旋轨道力矩(SOT)磁阻式随机存取记忆体(MRAM),和自旋转移力矩(STT)MRAM。虽然两种形式的MRAM都透过操纵不同材料的磁化来储存数据,但STTMRAM提供了几??没有功率泄漏的非挥发性记忆体;SOTMRAM被认为更快、更高效。

这两个研发组织的领导者都希??这项为期两年的合作能够利用NYCREATES以奥尔巴尼奈米技术中心为中心的300mm晶圆研发生态系统,该中心是北美最先进的非营利半导体研发机构。CEA-Leti将提供其世界一流的工程服务和专业知识,在300mm晶圆上生产可用的记忆体元件。

NYCREATES总裁DaveAnderson表示,通过扩大我们与CEA-Leti的合作夥伴关系,并应用其在装置物理和架构方面的专业知识,NYCREATES期待共同开发创新的运算技术。本次合作的重点是新型记忆体,是可以共同突破的领域。这项合作的首要目标将是开发新型磁性记忆体架构和整合。随着运算能力不断进步,这种国际合作夥伴关系将有助於满足当今的记忆体需求。

CEA-Leti执行长SebastienDauve表示,这项合作将使CEA-Leti扩大其能力。双方的合作将成为NYCREATES和CEA-Leti在实验室到工厂的转型更有效率,并通过更成熟的创新将对各自的生态系统产生更好的影响。

關鍵字: MRAM  CEA-Leti 
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