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紐約大學理工學院和法國CEA-Leti合作開發12吋晶圓磁性記憶體元件
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】   2024年06月25日 星期二

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紐約州立大學理工學院(NYCREATES)和法國電子暨資訊技術實驗室(CEA-Leti),宣布建立戰略研發夥伴關係,初期將聚焦於用於儲存電腦數據的磁性記憶體元件的研發,並將在300mm晶圓上進行生產。

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第一個聯合研究項目旨在展示兩種新型記憶體裝置:自旋軌道力矩(SOT)磁阻式隨機存取記憶體(MRAM),和自旋轉移力矩(STT)MRAM。雖然兩種形式的MRAM都透過操縱不同材料的磁化來儲存數據,但STTMRAM提供了幾乎沒有功率洩漏的非揮發性記憶體;SOTMRAM被認為更快、更高效。

這兩個研發組織的領導者都希望這項為期兩年的合作能夠利用NYCREATES以奧爾巴尼奈米技術中心為中心的300mm晶圓研發生態系統,該中心是北美最先進的非營利半導體研發機構。CEA-Leti將提供其世界一流的工程服務和專業知識,在300mm晶圓上生產可用的記憶體元件。

NYCREATES總裁DaveAnderson表示,通過擴大我們與CEA-Leti的合作夥伴關係,並應用其在裝置物理和架構方面的專業知識,NYCREATES期待共同開發創新的運算技術。本次合作的重點是新型記憶體,是可以共同突破的領域。這項合作的首要目標將是開發新型磁性記憶體架構和整合。隨著運算能力不斷進步,這種國際合作夥伴關係將有助於滿足當今的記憶體需求。

CEA-Leti執行長SebastienDauve表示,這項合作將使CEA-Leti擴大其能力。雙方的合作將成為NYCREATES和CEA-Leti在實驗室到工廠的轉型更有效率,並通過更成熟的創新將對各自的生態系統產生更好的影響。

關鍵字: MRAM  CEA-Leti 
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