來自通用電氣研究（GE Research）的科學家們創造了一項新記錄，展示可以承受超過溫度 800 ℃的金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）。這相較於之前已知的該技術演示高出 200℃，對於極端操作環境中未來應用深具潛力。

圖左的棉花糖會在幾秒鐘內烤熟，但 GE 的 SiC MOSFET 展示可承受高達 800℃的設備，能在極端高溫操作環境中控制和監測高超音速飛行器。（source：GE Research）

GE多年來通過航空航天業務銷售一系列基於 SiC 的電力產品，用於航空航太、工業和軍事應用；並不斷改良先進的航空系統，尋求實現支持太空探索和高超音速飛行器的新應用，新的溫度容限閾值被認為將為基於 MOSFET 的電子產品創下紀錄。

GE Research 微電子首席工程師Emad Andarawis表示，使用 SiC MOSFET 實現高溫閾值可以為太空探索和高超音速飛行器的感測、驅動和控制應用開闢新的可能性。他表示：「我們知道要打破新的太空探索和超音速旅行的障礙，將需要能夠處理極端高溫和操作環境的強大、可靠的電子系統。我們相信已經創造一項紀錄，展示800 攝氏度的碳化矽 MOSFET，這是實現這些關鍵任務目標的一個重要里程碑。」

GE 的 SiC MOSFET還能夠控制和監測以 5 馬赫或高於 3,500 MPH 的速度行駛的高超音速飛行器。這是當今典型商業客運航班飛行速度的六倍多。

Andarawis 和 GE Research 最近的研究顯示，MOSFET 可以擴展可供考慮的可用選項組合。該團隊目前正在與 NASA 合作專案，以應用新型 SiC 光電二極管技術來開發研究紫外線成像儀，增強對金星表面的太空任務。GE 研究團隊還在潔淨室設施（它是一個 28,000 平方英尺的 100 級設施，通過 ISO 9001 認證）製造 NASA 的 JFET，這是為外部半導體合作夥伴所做工作的一部分。