DDR400記憶體產品問世，使DRAM規格轉換速度有明顯加快情況。由於DRAM時脈超過400 MHz後，必須改採全新的封裝測試技術，業界人士已開始擔心，明年DRAM時脈再向上突破後，封裝測試產能將出現不足情況。

由於英特爾的晶片組市場策略多變，且DRAM需求多來自於既有電腦升級市場，因此，現階段DRAM市場主流仍以SDRAM為主，不僅DDR最低時脈的DDR266仍未成為主流，與DDR400間還有DDR333產品規格存在。DDR400規格尚未得到電子工業聯合會議（JEDEC） 採認，包括美光、三星、億恆等國際大廠，即決定明年下半年起開始出貨傳輸時脈達五三三MHz的 DDR-II晶片，因此，DRAM規格轉換速度確有明顯加快情況。後段封測廠則受資金籌措不易、經濟規模不足、新設備價格過高、代工合約價難漲等因素影響，今年幾乎沒有任何產能擴充計劃，因此，今、明二年國內DRAM產業將面臨上、下游間產能技術出現落差情勢。

由於 JEDEC會議中已做出決議，當DRAM傳輸時脈超過400 MHz時，DRAM封裝技術必須由現行的超薄晶粒承載封裝(TSOP)轉換成晶片尺寸封裝(CSP)，因此，DRAM規格轉換等於拉動了新舊封裝製程的交替。