TI（德州儀器）今年底計畫發表0.4微米矽鍺雙載子CMOS之BiCom-III製程，該技術用於生產低雜訊晶片，其產品速度比BiCMOS製程技術快上二倍。TI今年第三季進入最終驗證階段，年底將把該技術導入8吋晶圓製程，預計將很快可正式量產產品。

本 文：TI（德州儀器）今年底計畫發表0.4微米矽鍺雙載子CMOS（Complementary Oxide-metal Semiconductor；互補式金屬氧化半導體）之BiCom-III製程，該技術用於生產低雜訊晶片，其產品速度比BiCMOS（Bipolar CMOS；雙載子互補式金屬氧化半導體）製程技術快上二倍。TI今年第三季進入最終驗證階段，年底將把該技術導入8吋晶圓製程，預計將很快可正式量產產品。

目前為TI提供代工服務為晶圓雙雄台積電與聯電，TI同時也採用這二家公司的CMOS銅製程。據Aylesworth指出，TI過去約10%的產能都是由代工完成的。目前TI在美國本土達拉斯有一座12吋晶圓廠DMOS 6，2002年年中通過資格認定後，預計將開始創造收入；今年6月時，該產每月產能為5700片晶圓，預計年底將達到每月1萬片。

TI今年一月推出14位元40 MSPS的CMOS類比數位轉換器ADS5421，專門支援無線通信、醫療影像處理、儀錶與光學網路應用。採用小型LQFP-64封裝，功率消耗為850mW，並提供省電關機模式，可將功率消耗減少至40Mw。