自今年3月裝機、6月試產後，DRAM廠力晶半導體昨日對外宣布，第一批試產0.13微米12吋晶圓良率高達80％，整體良率達50％。力晶半導體董事長黃崇仁指出，第一批試產晶圓成功，證明該公司已掌握12吋晶圓的製程設備，以及0.13微米DRAM產品的設計等，與全球DRAM同業相較，力晶創下全世界最快試產成功的紀錄。

力晶表示，力晶已將首批12吋晶圓交付下游廠商封裝測試，並送交客戶驗證的準備作業；力晶12吋廠以256Mb DRAM量產，採用更換金屬線光罩（Metal Option）選擇DDR、SDRAM版本的彈性設計，試產成功後將加速第四季量產投片進度，預計每月可達1萬5000片產能。

力晶副總經理陳正坤指出，由於全球DRAM廠12吋晶圓製造經驗有限，力晶試產也曾面臨新設備成熟度不足，以及0.13微米光罩適用性等技術挑戰，目前該公司逐步拉升整體良率，相信力晶將可快速完成前期試產程序。