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三菱電機將交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片樣品
 

【CTIMES/SmartAuto 陳玨 報導】   2024年11月12日 星期二

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三菱電機株式會社(Mitsubishi Electric)宣布,將開始發貨用於驅動馬達的碳化矽 (SiC) 金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)裸晶片樣品11月14日,三菱電機推出電動車(EV)、插電式混合動力車(PHEV)和其他電動車(xEV)的逆變器。該公司能夠應對逆變器的多樣化為xEV提供支持,並為這些車輛的日益普及做出貢獻。

標準化功率半導體晶片將延長xEV的行駛里程並降低電力成本。左圖為用於 xEV 的 SiC-MOSFET 晶圓;右圖為用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片佈局。(source:Mitsubishi Electric)
標準化功率半導體晶片將延長xEV的行駛里程並降低電力成本。左圖為用於 xEV 的 SiC-MOSFET 晶圓;右圖為用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片佈局。(source:Mitsubishi Electric)

用於xEV的新型 SiC-MOSFET 裸晶片結合專有的晶片結構和製造技術,透過增強xEV的逆變器性能、延長行駛里程和提高能源效率,提升減碳效益。

三菱電機的新型功率半導體晶片是專有的溝槽 SiC-MOSFET,與傳統的平面SiC-MOSFET比較之下,功率損耗降低大約50%。由於獨特的製造技術,例如抑制功率損耗和導通電阻波動的柵極氧化膜製程,新晶片實現了長期穩定性,有助於提高逆變器的耐用性和xEV性能。

關鍵字: 功率半導體晶片  三菱電機 
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