意法半導體（STMicroelectronics）與CMP (Circuits Multi Projects）共同宣佈，將提供由意法半導體所開發的45nm CMOS製程給樣品試製之用的廠商與單位。透過樣品製造與少量生產用途的IC代理商CMP，可向大學、研究機構以及企業提供用於新一代系統級晶片（SoC）的45nm CMOS製程。

另外，該兩公司還宣佈將面針對學術研究用途提供採用SOI底板的65nm CMOS製程。該製程也將透過CMP提供。意法半導體表示，採用SOI底板可以使LSI晶片的性能比採用Bulk底板時更高，還可以降低耗電量。該公司表示，目前已有100多家大學獲得了採用該公司Bulk底板的65nm CMOS製程設計規則和設計套件。

在此之前，曾有IBM、三星電子（Samsung）、英飛淩科技（Infineon）與特許半導體等四家廠商共同發表繪圖處理LSI晶片的45nm Bulk CMOS製程技術。該技術是透過改進應變矽技術，與源極、漏極活性化技術，獲得了柵長35nm的nMOS為1150μA/μm、以及柵長35nm的pMOS為785μA/μm（截止電流100nA/μm）的電流驅動性能，這是當時產業的最高水準。