三星電子(Samsung)與三星綜合技術院(SAIT)，週二在舊金山舉行的IEEE第70屆國際電子元件會議(IEDM)上，正式發表了製造10奈米(nm)以下DRAM的關鍵技術。該技術透過Cell-on-Peri(CoP)架構將記憶體單元堆疊在周邊電路上，並導入新型高耐熱材料，成功克服製程中的高溫挑戰，為記憶體微縮化開啟新頁。

三星本次發表的技術名為「用於10nm以下CoP垂直通道DRAM電晶體的高耐熱非晶氧化物半導體電晶體」。傳統的CoP製程將周邊電晶體置於記憶體單元下方，但在進行高溫堆疊製程時，這些電晶體容易受損，進而導致效能下降。

為解決此瓶頸，三星採用了非晶銦鎵氧化物(InGaO)為基底的電晶體。這家南韓科技巨擘宣稱，新材料能承受高達攝氏550度的高溫，有效防止因製程高溫造成的效能衰退，確保了元件的穩定性。

在技術規格方面，三星指出這種垂直通道電晶體的通道長度僅為100nm，且能與單晶片(monolithic)CoP DRAM架構完美整合。根據測試結果，該電晶體的汲極電流(drain current)劣化極微，且在長時間的老化測試中表現依然優異，證實了該技術在極微縮製程中的可靠度與實用性。