據經濟日報報導，由於DRAM業者籌資管道不順，三星、美光及英飛凌等大廠轉進新世代製程腳步放緩，國內四大DRAM廠0.11微米製程轉換也延後，預計要到第四季才能小量生產。業者預期，今年全球DRAM產能增加幅度，可能低於50％。

茂德營業處長林育中表示，過去DRAM廠的製程轉換周期，大約是四到五季完成一個世代，不過從0.14微米開始，有延後的現象，預計0.11微米，可能要六季，也就是一年半才會完成製程轉換。林育中指出，全球DRAM廠中，三星最為積極，內部評估第四季有七成產能出自0.11微米，其餘如美光、英飛凌及南科等廠商，都要到明年才能全數轉換，因此整體評估，全球DRAM產能增加幅度，大約在50％左右。

根據轉換時程，華邦電、南亞科技及茂德技術同樣來自英飛凌，三家公司預計今年第四季轉進0.11微米，正式進入量產，不過良率趨於穩定，可能延至明年第一季。力晶採用堆疊式（Stack）架構，進度與上述三大廠商不同，預計下半年微縮至0.12微米，至於技轉自Elpida的0.1微米製程，則要到明年第二季才能量產，進度稍微落後。

華邦電總經理章青駒表示，該公司0.11微米製程要到下半年才會正式銷貨，按照合約規定，全數售予合作夥伴英飛凌。南亞科技執行副總經理高啟全則表示，以現況分析，轉進0.11微米的重要性高於12吋晶圓廠，不過，設備商已停止研發用於8吋晶圓廠的90奈米製程，因此，12吋廠將維繫長期發展的競爭力。