D3 Semiconductor宣佈貿澤電子 (Mouser Electronics) 現已成為其全球分銷合作夥伴。根據協定，貿澤電子目前儲備 D3 Semiconductor 的完整 650 伏額定電壓超結金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET) +FET產品線，該產品線在硬開關應用 (例如在通訊、企業運算、不間斷電源供應系統 (UPS)和太陽能中使用的功率因數校正 (PFC) 升壓和逆變器)方面具有同類最佳性能。

貿澤電子支援 D3 Semiconductor向美洲、亞洲和歐洲功率電子市場--新推出的世界級 650 伏超結金屬氧化物半導體場效應電晶體 (MOSFET)產品

D3 Semiconductor憑借改變功率器件的基因奠定了進入功率電子產業的標誌。其產品開發將混合式訊號功能與高壓開關器件組合在一起，提供最高產品可靠性以及使解決方案迅速適合各類應用的能力。除支援美洲和歐洲的電源市場外，D3 Semiconductor 還透過其附屬公司 D3 Asia 進入亞洲市場。

D3 Semiconductor 全球銷售與行銷副總裁 Scott Carson 也表示：「貿澤電子的全球佔有率和注重對設計工程工作的支援，與 D3 Semiconductor 的市場進入策略十分吻合。」

貿澤電子目前提供的D3 Semiconductor首批+FET 650 伏超結功率 MOSFET產品具有最高性能水準和可靠性。D3 Semiconductor 產品組合中的每一個 +FET 超結功率 MOSFET均以 650 伏節點為目標，有助於改進傳統上由絕緣柵雙極電晶體 (IGBT) (例如逆變器和電機驅動器) 服務的應用功率密度。

貿澤電子供應商管理與產品副總裁 Kristin Schuetter 指出：「D3 Semiconductor 的+FET超結技術在融合超級架構功率和效率與混合式訊號精確度方面具有獨特性。我們在各類要求高度可靠性電力市場中的客戶將從 D3 Semiconductor的高性能可擴展解決方案中受益。」

+FET MOSFET具有超低導通電阻 (RDS-ON)，從 32 毫歐到 1000 毫歐不等，可獲得低頻應用中的改善性能，並幫助器件獲得在短期內進行選通電極充電快速轉換的快速切換能力。該系列中的每個器件都在生產過程中按照本行業的最高雪崩電流水準接受 100% 雪崩測試，以確保可為最苛刻的應用提供最佳解決方案。此系列器件還符合靜電放電 (ESD) 性能的 JESD 22 標準，並且已接受超過 3,000 小時的高溫反向偏壓 (HTRB) 測試。