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海力士獲Grandis授權 將共同開發STT-RAM技術
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2008年04月10日 星期四

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南韓海力士半導體(Hynix Semiconductor)宣佈,該公司已經與新一代記憶體STT-RAM(Spin-Transfer Torque RAM)的技術開發商Grandis,簽訂了STT-RAM的技術授權及共同開發協議。根據協議內容,海力士將從Grandis獲得STT-RAM技術授權,未來兩公司的研究人員也將在產品開發領域進行合作。

海力士是首家與主導STT-RAM開發領域的Grandis簽訂技術導入及共同技術開發協議的南韓廠商。透過這次次的協議,可確保海力士儘快掌握新一代記憶體技術、並提高今後領先於市場的可能性。另外,與PRAM和ZRAM等一起構築起多樣化的新一代記憶體技術,還可進一步確保靈活性,以應對市場主導產品的變化。

STT-RAM為採用自旋電流(Spin-Polarized)移轉效應所開發的一種非揮發性(Non-Volatile)記憶體,較現有的磁阻式隨機存取記憶體(Magnetic RAM;MRAM)具有更多優勢,包括無限次數的讀寫週期,低耗電,運算速度更快。

關鍵字: STT-RAM  海力士半導體  Grandis  磁性記憶體 
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