南韓海力士半導體（Hynix Semiconductor）對外表示，該公司已經從美國英特爾（Intel）獲得了DDR3同步動態隨機記憶體（SDRAM）的產品認證。

海力士表示，此次獲得的是80nm製程技術的1Gbit DDR3 SDRAM，以及該晶片應用於個人電腦（PC）大容量儲存模組的認證。在獲得Intel的認證之後，海力士計劃從2007年第3季正式量產這些獲得認證的SDRAM產品，並於2007年年底開始以66nm製程技術製造產品。

此次獲得認證的SDRAM模組的容量分為1GB和2GB兩種。工作電壓為1.5V，工作速度為800Mbps和1066Mbps。DDR3 SDRAM的工作速度約為DDR2 SDRAM的2倍。此外DDR3產品的工作電壓也比DDR2產品低上許多，耗電量減少了25％以上，這主要是由於使用了三維電晶體的構造，可減少漏電流，進一步降低耗電量，並提高了資料保存能力。

SDRAM是一種新的DRAM技術，它主要是利用一種同步計時器對記憶體的輸出入信號加以控制。同步控制使得微處理器與記憶體的時脈同步，所以SDRAM執行命令和傳輸資料時可以節省許多時間，因此電腦整體效率亦大幅提昇。SDRAM有兩個很大的優勢，第一是SDRAM可以處理超過100MHz的匯流排速度，第二是SDRAM和系統時脈同步，並且可以讓兩頁的記憶體同時開啟。

SDRAM是把DRAM的架構改良，並再加上同步和雙埠（Dual Bank）的功能。非同步的記憶體由於設計上的限制，所以它的時脈無法調得很高，但是同步的記憶體可以讓時脈比較精準地控制時間，所以時脈可以調到100MHz以上。