恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日推出BLC7G22L（S）-130基地台功率晶体管，这是恩智浦应用第七代横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；LDMOS）技术的首款产品，专为高功耗和Doherty放大器应用进行优化。恩智浦的第七代LDMOS技术可以实现目前功效最高的LDMOS解决方案，与上一代产品相比，功率密度提升了20%，功率效能增长了两个百分点，而Rth热阻则降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基地台前期晶体管的初款原型将于2008年美国乔治亚州亚特兰大举办的IEEE MTT-S国际微波研讨会期间进行展示。

恩智浦RF功率产品线营销部门经理Mark Murphy表示︰「随着电信系统商开始提供以HSDPA和LTE等技术为基础的超高速服务，无线网络基础设施的功率需求也已达到空前的水平。恩智浦如今利用第七代LDMOS技术，推出业界性能最高的LDMOS基地台电晶管，其功率增加效率远高于目前市场上的任何产品。」

第七代LDMOS的性能达到3.8GHz，且输出电容减少25%，可实现宽带输出匹配，进而设计出更简单、性能更好的Doherty放大器。ABI Research射频（RF）组件与系统研究总监Lance Wilson表示︰「随着数据驱动型服务逐渐成为无线基础设施的重要条件，顶尖的RF功率放大器性能就成为必备。恩智浦的第七代LDMOS技术，凭着在功率密度和热性能方面的重大进步，必定成为该公司进入相关应用顶级设备市场时的重要资产。」