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恩智浦新推晶体管提升LDMOS基地台功率效能 (2008.05.19)
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出BLC7G22L（S）-130基地台功率晶体管，这是恩智浦的第七代横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；LDMOS）技术的产品，专为高功耗和Doherty放大器应用进行优化
恩智浦半导体突破性提升LDMOS基地台功率效能 (2008.05.16)
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日推出BLC7G22L（S）-130基地台功率晶体管，这是恩智浦应用第七代横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；LDMOS）技术的首款产品，专为高功耗和Doherty放大器应用进行优化
报告:2012年全球高功率RF半导体市场达10亿美元 (2008.01.08)
外电消息报导，市场研究公司ABI Research日前发表一份最新的研究报告表示，随着无线基础建设的发展，至2012年时，全球高功率RF半导体市场规模将达到10亿美元。 ABI Research的研究报告中，将RF功率半导体市场分为6个市场和24个子市场


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