账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
半导体『0.5D』的距离有多远?
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2012年09月25日 星期二

浏览人次:【5708】

近期看到FPGA大厂陆续推出3D系统芯片,令人想起几前年半导体产业开始积极推展的3D芯片,似乎经过几年的酝酿,目前开始看到该技术的开花结果。只不过,Altera台湾区总经理陈英仁指出,这些其实都是属于2.5D的制程,不是真正3D的技术范畴。3D制程的技术含量更深,目前仍是个很大的挑战。

3D芯片要真正商用化,现在仍太早。
3D芯片要真正商用化,现在仍太早。

陈英仁说,目前FPGA大厂所标榜的3D芯片,其实都只是2.5D制程技术,并非真正的3D芯片。目前2.5D技术逐渐成熟,产品也陆续推出市场。然而,从2.5D到3D,这看似短短一步可及的距离,事实上其技术难度却有如天与地一般遥远。

2.5D芯片的采用,其实正是3D真正商用化之前的一种替代方案。2.5D芯片其实就是将主动组件放在被动的硅中介层上。硅中介层能平行连接数个硅切片,透过和PCB上不同的IC金属互连方式,这些硅片能经由该中介层的金属互连来连接。

3D芯片经过几年的发展,尽管已经克服许多困难,但3D芯片要真正商用化,坦白说现在仍太早。3D芯片等同于整体芯片设计的革命性突破,这包括从基础IC设计、芯片封装到散热机构等细节。

3D芯片最大的挑战,最先面临的就是芯片的连接方式。目前最可行的TSV,是在数个垂直堆栈的芯片上穿孔来连接芯片,但技术尚未成熟,成本也高,良率相对偏低。其次是散热。当多个主动式芯片堆栈在一起时,每个芯片运作所散发的热要如何排出就是个大问题。特别是当芯片堆栈在一起时,中间部份几乎无法散热。曾有工程师提出3D芯片中,透过风孔排热的构想,但难以实现。散热问题不解决,3D芯片便很难跨出下一步。

此外,TSV的穿孔,也会在芯片发热时产生大问题。芯片遇热膨胀后,应力会影响外围的晶体管性能,这是TSV发展过程中最难解决的部分。专家认为,3D芯片要走到成熟的阶段,估计还要至少3年以上。看来,这短短0.5D的路,半导体产业还得走上很久。

關鍵字: 3D IC 
相关新闻
Ansys携手台积电与微软 共同提升3D IC可靠度模拟
Ansys半导体模拟工具已通过联电最新堆叠晶圆先进封装技术认证
Ansys热完整性和电源完整性解决方案通过三星多晶片封装技术认证
是德加入台积电开放式创新平台3DFabric联盟
台大跨团域队研发AI光学检测系统 突破3D-IC高深宽比量测瓶颈
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK83T0VTC30STACUKZ
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw