高通（Qualcomm）宣布已取得第一批由台积电45奈米制程所量产的3G芯片，而内建该芯片的手机也已经试拨电话通讯成功。而2008年高通的高阶3G芯片将导入台积电45奈米浸润式微影（immersion lithography）制程，并将与台积电继续就45奈米的半制程，也就是40奈米制程上持续合作。

高通的三款45奈米制程3G芯片，包括具备HSPA+功能的单芯片QSC7230、CDMA2000 1xEV-DO Rev. B规格的QSC7830、以及整合了HSPA+ and EV-DO Rev. B的双模QSC7630等，并内建了FM广播、蓝牙传输、卫星导航（GPS）等功能，这些芯片都是采用台积电45奈米浸润式微影制程量产，主要针对智能型手机应用。

据了解，高通与台积电的45奈米制程合作有效降低了生产成本，未来并将与台积电进行40奈米制程的合作，预计2009年之后高通的3G手机芯片将大量导入45奈米以下制程。

目前台积电的45奈米制程技术，在九月进入量产之后，除了高通之外，Altera也已该制程进行小量试产，随后Nvidia及AMD也可能与台积电进行45奈米上的合作。