2010年全球DRAM市場容量需求高達44%，其中LCD TV、智慧型手機以及工業應用需求成長高於市場平均。也因需求大，平均售價高，帶動營收創下歷史新高，但MIC產業分析師李曉雯認為，下半年供需比將呈現不平衡狀態，DRAM價格將逐步下跌，尤以現貨表現明顯。其中，三星於五月大幅度調整記憶體資本支出，成為DRAM價格下跌幅度的最大影響關鍵。

由於上半年DRAM市場看俏，三星於五月份大幅度調整記憶體資本支出用途，DRAM製程從56奈米轉至46奈米與35奈米，更大舉擴張產能。首先先把原本生產DRAM的austin廠改為生產12吋NAND Flash與次世代記憶體（line_16），並新增一座月產能目標為20萬片的12吋廠，預定生產DRAM與NAND Flash。至於現有的12吋廠30奈米生產線（line_15）也有所增加。

李曉雯表示，此次調整的資本支出對於2010年整體產能挹注不大，但2011年第三季之後，當新增的line_16開始量產，對台灣廠商影響可能相當巨大。雖然三星並未說明投資高達12兆韓元的line_16產能如何分配，但是假設產能滿載的情況下，有一半為生產DRAM，則會使全球DRAM位元產出增加約1成，而且到了2011年底，三星這隻大怪獸的DRAM產能可能會超過整個台灣的產能總和。

三星同時也是標準型DRAM產品製程量產速度最快的廠商，預估至2011年上半年，就可量產35nm製程的2Gb DDR3產品。

至於台灣DRAM廠商，由於如茂德、力晶持續增產，2010年上半年12吋DRAM晶圓出貨乃逐步上揚趨勢。第三季因華亞科處於製程轉換，整體出貨量的微幅成長僅靠南科增加產能維持，第四季華亞科重新加加入生產行列，成長幅度可望提升。