由於看好明年微軟新作業系統Vista上市後，將帶動新一波DRAM需求，包括三星、海力士（Hynix）、奇夢達（Qimonda）及台灣四家DRAM廠等，明年均將大舉擴大產能，至於NAND供應商如IM Flash、東芝等，則因市占率之爭，明年擴產幅度亦充滿想像空間。

不過，DRAM廠及NAND廠明年大擴產，後段封測廠明年資本支出卻沒有同步大增，封測業者預估，明年中旬封測產能恐會再出現大缺浪潮。

微軟Vista明年首季即將上市，由於Vista要求PC單機內建DRAM模組容量至少要1GB，繪圖卡業者則預估，若遊戲軟體要跑得順暢，DRAM模組容量可能要2GB才夠。然因現階段市場中，PC內建DRAM模組容量搭載率平均約850MB至900MB，還有很大的成長空間，也因此全球DRAM廠明年均有龐大的擴產計劃進行。

以各家DRAM廠公布的擴產計劃來看，三星電子明年DRAM位元成長率預估將達九成最為驚人，其餘如奇夢達、海力士、爾必達等，明年DRAM位元成長率預估亦有三成以上，台灣四家DRAM大廠力晶、茂德、南亞科、華亞科等，明年DRAM位元成長率初估亦有四成至五成幅度。

至於NAND供應商部份，雖然三星及海力士等業者，明年擴產主力放在DRAM上，但是光是利用製程微縮，明年產能就可成長約三成幅度，至於日本東芝擴產幅度則最為積極，根據東芝合作夥伴SanDisk表示，十二吋廠Fab3今年底月產能約達7萬片，明年中旬計劃擴產至11萬片，至於Fab4將於明年底正式投片量產。再者，美光及英特爾合資的IM Flash，明年起將調撥二座十二吋廠投片量產，目前已傳出有計劃合資興建第三座十二吋廠，新廠將於2008年開始投片。

DRAM廠及NAND廠的擴產動作十分積極，但是除三星、美光、奇夢達等有增加封測產能外，其餘如爾必達、IM Flash、東芝、及台灣四家DRAM廠等，主要封測業務均委外代工。以現在力成、南茂集團、矽品、聯合科技等全球記憶體封測廠的明年資本支出，僅較今年成長二成左右，並沒有配合上游業者進行同步擴產動作，所以業內預估，明年中旬DRAM及NAND新產能開出後，封測產能就會大缺。