為提高在亞洲的晶圓代工市佔率，並與主要對手台積電一較長短，全球晶圓（Global Foundries；GF）的亞洲巡迴論壇，今日於新竹盛大舉辦。會中全球晶圓營運長謝松輝表示，GF正快步邁進28/20奈米階段，目前在美國紐約投資興建的Fab 8晶圓廠，便以28/20奈米製程為主，預計在2012年將可進入量產階段，屆時每月產能可達到6萬片。

全球晶圓正在快速邁向28/20奈米製程階段

謝松輝並透露，意法半導體（STM）已經確定在28奈米製程的晶片產品上與全球晶圓合作，預計今年底，在High-k金屬閘極技術有所進展之下，28奈米製程應用將會有更進一步的突破。除了意法之外，IBM和Samsung參與其中的Common Platform聯盟，也會與全球晶圓在28奈米製程密切合作。全球晶圓亞太區與日本銷售副總裁鄭伯銘更進一步表示，全球晶圓與IBM也已完成簽約，將合作代工22奈米微處理器產品。

除此之外，ARM的雙核Cortex-A9處理器也採用全球晶圓的28奈米HP和High-k金屬閘極技術，主要製程是在德國的Fab1晶圓廠。在與ARM的合作計畫上，謝松輝指出主要的兩大方向，其一是擴大測試晶片IP的組合方案，開發各項可能性的技術合作，其二則是ARM處理架構的合作，以列出函式庫和記憶體處理為核心。

同時由於新製程有所突破，AMD的CPU/GPU Combo晶片也會和GF晶圓代工密切合作。在設計服務部份，全球晶圓主要持股掌握虹晶科技（Socle Technology）之後，也進一步取得在消費電子多媒體晶片和類比晶片設計的關鍵智財權。

謝松輝指出，預計到2012年，全球晶圓的資本支出水位應該還是會維持在25～27億美元左右，設備投資部份將佔較大比重。不過資本支出維持高水位，並不代表產能就會立即明顯成長，今年第4季到明年第1季的產能，應該還是會經歷季節性調整的起伏。至於在美元相對居貶、亞洲貨幣不斷升值的情況下，全球晶圓的外匯避險機制、以及分散於新加坡、德國Dresden和美國紐約的晶圓廠佈局，可讓匯率變動所造成的風險降到最低。

對於今年全球半導體製程的景氣預估，謝松輝是相對審慎樂觀的，包括無線基頻晶片以及機上盒和數位電視等消費電子的高速成長，有效地抵銷了在PC和顯示領域晶片動能不足的負面影響，應該可以維持在4～5％甚至期待5％以上的成長率。

在28/20奈米先進製程技術部份，GF則是看好波長13.4nm的次世代超短紫外光（Extreme Ultraviolet；EUV）晶圓光罩製程和High-k金屬閘極技術。全球晶圓企業計畫管理部門副總裁Nick Kepler指出，浸潤式微影技術（immersion lithography）雖然也可應用在20奈米製程，但是會遇到更為複雜的技術挑戰和成本問題，例如雙重曝光成像（double patterning）提高顯影解析度時，EUV就較能符合需求。

重要的是，EUV光罩製程成熟化後，成本可大幅降低，並且可以有效量產，Nick Kepler進一步認為，進入到20奈米製程以下，EUV甚至有可能是唯一可符合微影製程需求的光罩技術選項。至於High-k金屬閘極技術，則可以隨著微型化的製程節點，擴大閘極長度，不僅能降低等效氧化層（Equivalent Oxide Thickness；EOT）厚度，並且繼續提昇效能。

值得注意的是，全球晶圓這次也公開宣示進一步擴展微機電MEMS製程的決心，包括加速度計、陀螺儀、射頻MEMS等產品，都是全球晶圓切入的重點，GF也將積極強攻車用MEMS領域。鄭伯銘指出，以往全球晶圓在MEMS製程，主要是接受IDM廠委外代工為主，現在將朝向輕晶圓廠（Fab-lite）的合作模式發展，越來越多的無晶圓廠MEMS廠商，也將出現在全球MEMS市場，而8吋MEMS晶圓將成為主流。今年底前，全球晶圓將完成MEMS製程的基礎建設，預計在明年中之後開始量產。