帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
市場競爭加劇 各廠商提升NAND Flash產能
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2005年11月22日 星期二

瀏覽人次:【2190】

記憶晶片產業的競爭加劇在即,東芝和三星皆傳出調整記憶晶片生產線的消息。日經產業新聞報導指出,東芝試圖使該公司NAND晶片的讀寫速度於明年提高一倍,用以增強東芝與龍頭廠商三星電子競爭的實力,而三星電子同日對外宣布,擬斥資6370億韓元(約合新台幣208億元)擴張包括NAND在內的記憶晶片產能。

另外,英特爾與美光也宣布,將成立一家NAND快閃記憶體合資企業,產品主要將用於消費電子產品、移動數據儲存與可攜式通訊設備。其產品主要將供應蘋果使用。

三星表示,該公司計畫在華城廠增添DRAM和NAND的生產線。三星曾於今年九月宣布七年資本支出計畫,計畫投入330億美元(約合新台幣1.1兆元)擴張半導體產能。

東芝所生產的NAND晶片之記憶單元係採用一項多層單元(MLC)專利設計,此一設計能讓每個記憶單元儲存二位元的數據資料,容量是目前一般記憶單元的兩倍,也就是說,採用前述設計,資料儲存量一樣的快閃晶片大小是一般快閃晶片的一半。

但前述MLC技術有個缺點,即數據資料讀寫速度因此減慢,由於購買錄影照相機等電子產品的消費者較注重速度,如此一來,東芝的快閃晶片恐怕競爭力不足,為此,東芝決定重新設計MLC記憶單元,好讓該公司快閃晶片的讀寫速度具備與三星快閃晶片較勁的本錢。

東芝目前販售的是70奈米製程NAND晶片,其讀寫速度為每秒6MB,東芝訂於2006年推出55奈米製程NAND晶片,該公司並試圖促新款晶片的讀寫速度達每秒12MB,即速度提升一倍。

關鍵字: DRAM  動態隨機存取記憶體 
相關新聞
台灣美光台中四廠正式啟用 將量產HBM3E及其他產品
美光發布記憶體擴充模組 加速CXL 2.0應用
宇瞻看好印度製造 台灣首批MII的DRAM模組本月出貨
美光發布 2023 年永續發展報告 與產業夥伴實現淨零排放願景
Solidigm資料中心SSD具備高密度與效能
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» 開啟邊緣智能新時代 ST引領AI開發潮流
» ST以MCU創新應用潮流 打造多元解決方案
» ST開啟再生能源革命 攜手自然迎接能源挑戰
» ST引領智慧出行革命 技術創新開啟汽車新紀元
» ST:精準度只是標配 感測器需執行簡單運算的智慧功能


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.93.59.171
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw