香港商富士通微電子有限公司台灣分公司宣佈其2 Mbit FRAM記憶體晶片已開始供貨上市，為目前全球可量產的最大容量FRAM元件。富士通的MB85R2001和MB5R2002晶片內建非揮發性記憶體，具備高速資料寫入、低功耗、大量寫入週期等特點，適用於汽車導航系統、多功能印表機、測量儀器及其它需使用非揮發性記憶體來儲存各種參數、記錄設備操作條件與保存安全資訊的各項高階應用。

FRAM元件的高速資料寫入和大量寫入週期功能，非常適合辦公設備中儲存事件計數或參數，以及記錄各種事件等用途。FRAM元件可提供100億次的讀/寫週期，相當於以每秒寫入30次的速率連續寫入10年。此外，FRAM元件不需電池即可儲存資料達10年以上。即使當儀表設備等應用面臨電源臨時中斷之情況，富士通的FRAM寫入機制仍能確保資料可高速寫入FRAM元件，而不會損失任何重要資料。

MB85R2001晶片組態為256K字數x 8位元；MB85R2002晶片組態為128K字數x 16位元。此兩種格式的讀取時間均為100ns，讀/寫週期則為150ns，操作電壓則介於3V到3.6V之間。

富士通微電子亞太區系統LSI產品市場部副總監鄭國威先生表示：「FRAM技術對於那些需要大量寫入週期、低功耗及高速資料寫入等功能的應用設備是最理想的選擇。這些新的FRAM元件具備增強功能與更大的記憶體容量，可滿足新型汽車、儀表設備及其它高階設計的要求。此外，新款FRAM元件具備富士通1Mbit FRAM的電氣特性，只需增加連接一個位址，即可輕易轉移至更高容量的版本。」

富士通微電子領先業界投入FRAM開發，並從1999年起就開始FRAM的量產，到目前為止，其FRAM元件的全球銷售量已超過5億顆，其中包括獨立型記憶體晶片與嵌入式FRAM記憶體晶片。為因應市場對於FRAM記憶體的需求持續增加，富士通決定將記憶體的容量加倍，並開發出MB85R2001和MB85R2002元件產品。相較於以電池供電的SRAM元件，FRAM無需使用電池的優勢，可讓顧客簡化生產流程，並省去更換電池及產品維護的麻煩。與富士通其他所有的FRAM元件一樣，MB85R2001和MB85R2002藉由減少材料使用量，以符合環保相關國際法規。

新款的2Mbit FRAM元件與目前富士通正量產的1Mbit FRAM元件—MB85R1001和MB85R1002—具備相同的電氣特性，並採用TSOP-48封裝方式。只需增加連接一個位址，顧客即可將1Mbit FRAM元件轉移至2Mbit的元件上。因此，顧客可根據所需的記憶體容量，在同一塊印刷電路板上選擇使用1Mbit或2Mbit的FRAM元件。