國科會國家實驗研究院於周二（12/15）宣布，開發出全球第一款16奈米的SRAM（靜態隨機存取記憶體）的單位晶胞新元件，由於可容納電晶體是現行主流45奈米的10倍，可使未來3C設備更輕薄短小，主機板面積大幅縮小、儲存量更大、運算效率更快。若應用至筆電上，整體重量將僅有500公克，開機不用等，插電即用，且耗電量只有現在的一半，非常符合節能環保時代需求。

國家實驗研究院（NDL）宣布，開發出領先全球16奈米的SRAM新元件。(左起)國研院院長陳文華、施敏院士、國科會副主委陳力俊、國研院奈米元件實驗室主任楊富量。NDL

國家實驗研究院已於日前在美國巴爾的摩市電子元件國際會議「IEDM」上，正式發表3項16奈米元件的關鍵技術相關研究論文：包括「奈米噴印成像技術」、「320度低溫微波活化」和「N型鍺元件研究」等。被大會選為5篇即時發表論文之一，並被國外專業電子媒體EE Times、IEEE Spectrum及日經BP網列為重點報導，此技術勢將成為全球未來5到10年後的電子科技主流，也讓台灣在全球半導體產業中繼續保有優勢。

「奈米噴印成像技術」完全不需要傳統光學式微影成像技術所需的光阻和光罩，至少省下10~20億台幣的成本。而且顯影可延伸至5奈米的元件尺寸，將使解析度更清晰，成像更快速，可應用在印表機或半導體顯影上。「320度低溫微波活化」是造成未來電子產品輕薄短小的關鍵技術，因此技術利用低溫320度就能將積體電路做3D立體堆疊，可縮小晶片面積。另外，「N型鍺元件研究」，從16奈米元件世代開始，為求得更快速的元件性能，以鍺取代矽已漸漸成為研究主軸之一。

「矽量子點奈米節能儲存元件」則由國家奈米元件實驗室最近開發的另一項成就。國研院奈米元件實驗室主任楊富量說，這是世界上首度直接由電場儲存資料到奈米矽量子點的節能環保元件，不需利用電流改變資料狀態，非常省電。並強調，未來電腦、手機、數位相機、PDA、電玩、電子書等都將因此開創出更多改寫人類數位生活的應用，除了體積更小外，未來電子設備儲存量會更多，例如衛星導航產品記憶體容量約是10GB，但未來可以擴充至100GB，可以容納下全球地圖，真正就像天涯若比鄰；或是硬碟可容納100部電影，都更貼切民眾生活。

楊富量也表示，Intel總裁暨執行長Paul Otellini日前宣布今年是進入32奈米SRAM量產的關鍵年，預計2011年再挺進到22 奈米領域，該公司仍將這項花費300到500億元台幣研發出來的成果視為最高機密，絕不外洩。不難發現，台灣比美國更領先開發出16奈米SRAM單位晶胞的重要性。在16奈米元件核心技術支撐下，楊富量希望明年能拓展成立「15奈米元件研發聯盟」，結合產學研界及早進入這個關係國內兆元產值的微電子元件研究領域與佈局，搶占有利戰鬥位置。